【摘 要】
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如何获得高自旋极化的电流是自旋电子学研究领域的重要课题。其中一种方法是使非自旋极化的电子隧穿通过铁磁绝缘层而产生极化,即自旋过滤。NiFe_2O_4是一种具有高电阻率的亚铁磁材料,通过它的自旋向上和自旋向下的电子所感受到的势垒高度是不同的,由于电子的透过率与势垒高度呈指数关系,因此NiFe_2O_4作为隧穿势垒层可以产生自旋极化率较高的极化电流。本论文用直流反应共溅射法制备了NixFe3–xO4多
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如何获得高自旋极化的电流是自旋电子学研究领域的重要课题。其中一种方法是使非自旋极化的电子隧穿通过铁磁绝缘层而产生极化,即自旋过滤。NiFe_2O_4是一种具有高电阻率的亚铁磁材料,通过它的自旋向上和自旋向下的电子所感受到的势垒高度是不同的,由于电子的透过率与势垒高度呈指数关系,因此NiFe_2O_4作为隧穿势垒层可以产生自旋极化率较高的极化电流。本论文用直流反应共溅射法制备了NixFe3–xO4多晶薄膜和NiFe_2O_4外延薄膜,并对它们的结构、磁学性质和输运特性进行了系统研究。
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