21世纪以来,随着微波技术的不断发展,其在通讯、雷达、生物医疗等领域的应用也越来越广泛,然而,大量微波电子器件的使用在给我们的生活带来便利的同时,也带来了日渐加剧的电磁污染问题。因此,微波波段的电磁屏蔽已经成为了一个热门的研究领域。并且随着科技的不断进步,人们对于电磁屏蔽材料的要求也越来越高,不仅需要有很好的屏蔽性能,还需要同时具备轻质、柔韧、超薄等复合功能。我们迫切的需要找到一种满足以上条件的新型材料用于电磁屏蔽,而MXene材料因其优秀的导电性、较轻的质量、较强的机械性能等特性,走入了人们的视野,并被广泛应用于微波波段的电磁屏蔽材料研究。本文采用抽滤法制备了掺杂不同浓度银纳米线（Silver Nanowires,Ag NWs）的Ti3C2Tx-MXene薄膜,并用激光烧蚀法在薄膜表面制作不同深度的周期性图案,用于制作新型的电磁屏蔽材料。具体内容如下:采用LiF/HCl刻蚀法制备了Ti3C2Tx-MXene悬浮液,并在其中添加不同浓度的银纳米线,使用抽滤法制备出掺杂不同含量银纳米线的MXene/Ag NWs薄膜。实验表明,随着银纳米线浓度的提升,薄膜在8-12 GHz的屏蔽性能显著增强。当银纳米线的浓度达到50%时,薄膜的总屏蔽效能（Total Shielding Effectiveness,SET）达到了36.7 d B。这是因为银纳米线的导电性较好,同时银纳米线在薄膜内部形成了导电网络,进一步提升了屏蔽效能。使用激光烧蚀法,在MXene薄膜表面制作周期性图案,并通过调整激光功率控制图案的深度,以达到调控屏蔽效能的目的。根据实验结果,可以发现随着图案深度的增加,MXene薄膜的SET随之增大,在激光功率达到40%额定功率时,SET达到了38 d B。这一现象可以归结于表面的周期性图案增加了很多小表面,使电磁波在材料内部的反射增强,从而提升了屏蔽效能。我们在掺杂了25%浓度银纳米线的MXene/Ag NWs薄膜上制备了相同尺寸的周期性图案,得到了类似的趋势。使用了HFSS软件进行仿真计算,对不同形状、不同大小、不同深度的周期性图案进行了建模。结果表明,图案大小对SET影响不大,方形图案的SET明显好于三角形和圆形图案。而随着图案深度的增加,SET呈先增大后减小的趋势,这是由于图案深度过深时剩余MXene含量减少所致。综上所述,本实验中制备的MXene基薄膜具备轻质、高效等优秀特性,可以为微波波段的电磁屏蔽材料研究提供新的思路。