该文着重研究了多孔硅蓝光、近紫外光发射、以及H<,2>O<,2>处理、激光照射、Sm掺杂、超监界干燥等过程对多孔硅发光的影响.该文还对多孔硅发光机制进行了较系统的研究.1.首先用H<,2>O<,2>处理提高了多孔硅发光强度与稳定性,指出Si-H键不是多孔硅发光本质原因;2.用新方法实现多孔硅蓝光发射,并首先指出蓝光发射起源于包裹纳米硅粒的SiO<,x>层中的发光中心;3.在国际上首次获得多孔硅的近紫外光发射,其峰位波长是目前已报导结果中最短的.对其机制进行了研究,用量子限制/发光中心模型很好地解释了紫外光发射现象;4.在多孔硅中掺入Sm发光中心,对Sm特征峰进行了研究,这是国际上最早将稀土元素引入多孔硅并研究其发光性质的工作.实验结果强烈支持量子限制/发光中心模型;5.用超临界干燥法制得了多孔度大于90%还不破裂的多孔硅,并对其光致发光与光致发光激发进行了研究;6.对发光机制的研究指出量子限制/发光中心模型所述的过程在多孔硅发光中一般起着主导作用,但对某些多孔硅,特别是高温氧化的多孔硅,发光中心上激发与复合的过程对多孔硅发光也有贡献.