论文部分内容阅读
本论文通过化学浴沉积(CBD)、连续离子吸附(SILAR)等方法的方法直接在晶硅片上生长CuO纳米阵列、CuS纳米晶/量子点以及CuO/CuS复合结构材料。并通过X-射线粉末衍射分析仪(XRD),场发射扫描电子显微镜分析仪(FESEM),固体紫外-可见-近红外漫反射光谱分析仪(UV-Vis),半导体材料少数载流子寿命测量仪,光电性能测试等手段测试材料的形貌结构、化学组成、少数载流子寿命及光电转化性能,详细结果如下:合成不同形貌、尺寸的CuO纳米阵列,将其直接沉积在晶体硅片上。CuO纳米阵列/