半导体纳米材料增效晶硅太阳能电池及光电性能研究

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【摘要】

：

本论文通过化学浴沉积（CBD)、连续离子吸附（SILAR)等方法的方法直接在晶硅片上生长CuO纳米阵列、CuS纳米晶/量子点以及CuO/CuS复合结构材料。并通过X-射线粉末衍射分析仪(XRD),场发射扫描电子显微镜分析仪(FESEM),固体紫外-可见-近红外漫反射光谱分析仪(UV-Vis),半导体材料少数载流子寿命测量仪，光电性能测试等手段测试材料的形貌结构、化学组成、少数载流子寿命及光电转化性

【作者】

：

夏玉胜

【机构】

：

上海师范大学

【发表日期】

：

2014年04期

【关键词】

：

氧化铜硫化铜纳米技术量子点单晶硅太阳能电池增效

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