近些年来,随着我国经济的持续快速发展,能源消耗日趋紧张,特别是电力消耗日趋加大。因此,大力发展新型电力电子器件的设计制造以及模块的开发和应用就成为一项重要课题。绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为新型电力电子器件是整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。IGBT是采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造。IGBT是一种具有MOS电压控制和双极导通调制相结合的器件。它具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。它是可用于需要高压、大电流和高速应用领域的非常理想的功率器件,优于其他功率器件,用途十分广泛。目前,国内IGBT产品主要依赖进口。国外IGBT产品已大量生产,而国内IGBT仍处于研制阶段。与国外相比,我国的IGBT制造工艺技术至少落后十年,IGBT的国产化问题刻不容缓。本文首先对IGBT的工作原理进行了简述,通过对国外目前正在流行的多种结构IGBT的分析研究,认为IGBT的技术发展趋势是NPT-Trench-IGBT技术,并选择挖槽工艺技术、亚微米微细加工技术、透明集电极技术、薄单晶硅片技术以及平面终端结构技术为主要研究专题。通过挖槽工艺技术研究,减小IGBT的元胞尺寸、提高元胞密度,减小IGBT的导通电阻,从而提高IGBT的电流密度;通过亚微米微细加工技术研究,使IGBT的元胞尺寸进一步缩小,提高元胞密度;通过透明集电极技术研究,减小IGBT的关断时间,提高开关速度;通过薄单晶硅片技术研究,采用先进的减薄技术,使IGBT的性能得到进一步提高;通过平面终端结构技术研究,采用有效的终端结构,提高IGBT的耐压。通过上述深入研究,完成了相关工艺试验,取得了较好的工艺成果,对于今后新型电力电子器件的开发和应用奠定了坚实的基础。