单片智能功率芯片因其低损耗与小体积等优势,广泛应用于各类电机驱动与电源应用中。绝缘体上硅型横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon On Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,简称SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的核心开关器件,该器件具有电流能力强、击穿电压高及易于集成等优点,同时其关断鲁棒性决定了额定电压下能够正常关断的最大电流。因此,研究更强关断鲁棒性的SOI-LIGBT对芯片可靠性具有重要意义。本文基于所在课题组给出的U型沟道SOI-LIGBT器件结构,对其关断鲁棒性进行测试评估。发现单跑道器件与多跑道并联器件的关断失效电流均远低于设计值,且失效电流与跑道数量成倍数关系。本文采用仿真手段复现了U型沟道器件关断失效过程并分析其失效机理,分析发现此器件失效原因如下:U型沟道器件在关断初始阶段,靠近发射极的鸟嘴区域会发生雪崩击穿产生大量电子空穴对,其中大量电子在电场作用下流向集电极,引起寄生PNP晶体管开启,器件因动态雪崩产生过量电流而失效。基于上述分析结果,本文给出了两种改进思路:一是错开峰值电场与峰值电流,二是降低寄生PNP晶体管的注入效率,最后得到综合优化结构。仿真结果显示,综合两种改进思路的新结构能够在母线电压450V的条件下,将U型沟道器件的临界关断失效电流从1A提升至2.47A,增幅达147%。同时,器件的击穿电压保持在560V,电流密度保持在307A/cm²(V_CE=3V)。