分别采用脉冲激光薄膜沉积技术和磁控溅射薄膜沉积技术研究了氧化镓薄膜和氧化镍薄膜的生长机理,制备了具有本征缺陷的非化学计量比的薄膜。制备了 Au/Ti/GaOx/NiOx/ITO阻变元器件,并系统的研究了其阻变行为和物理机理,该器件表现出单极型和双极型两种阻变行为,双极型阻变由Ti/GaOx处的肖特基势垒变化所致,单极性阻变由界面GaOx/NiOx处导电通道的形成与烧断所致。通过Ti/GaOx和GaOx/NiOx双界面的调控,实现了可控的由双极型向单极型的转变。论文的主要内容及取得的成果如下:1.分别采用脉冲激光沉积的方法和磁控溅射薄膜沉积方法研究了不同生长温度对于氧化镓薄膜和氧化镍薄膜质量的影响。2.分别采用磁控溅射和脉冲激光沉积的方法制备氧化镍和氧化镓薄膜,制备出Au/Ti/GaOx/NiOx/ITO结构的器件,并对其阻变性能进行了研究。结果表明,在未进行对于GaOx/NiOx界面进行软击穿的情况下,器件表现出双极型阻变行为。通过一个限制电流保护的“Forming”电压操作,器件的GaOx/NiOx界面实现了软击穿,器件阻变类型由双极型转变成单极型。3.分别对于两种阻变行为做出系统研究,进行了连续多次电压-电流循环测试,表现出良好的稳定性;进行连续多次的读写擦性能的测试,结果表明,器件表现出良好的耐疲劳特性。4.对于阻变机理进行了深入的研究,分别对两种类型阻变行为的电流-电压曲线进行了拟合,总结提出相对应的阻变机制,同时提出了一种界面效应和导电细丝结合的阻变模型,对器件阻变行为进行了解释。