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该文以探索简单可行、生产周期短,适于大规模工业化生产的高性能AlN陶瓷制备工艺为研究目标,利用两面顶技术,对添加单一和二元复合稀土氧化物的AlN陶瓷的低温超高压烧结工艺及机理进行了较为系统的研究,探索了其显微结构与性能的关系,最终制备了高性能的AlN陶瓷基片.实验表明:Y<,2>O<,3>、Sm<,2>o<,3>、Dy<,2>O<,3>均是AlN陶瓷有效的烧结助剂,而添加Nd<,2>O<,3>的AlN陶瓷呈在超高压下达到致密,但烧结性能较差.与其它添加单一稀土氧化物的AlN陶瓷相比,采用Y<,2>O<,3>为烧结助剂的AlN陶瓷的导热性能最佳,烧结条件为添加5wt﹪的Y<,2>O<,3>,1700℃,保温115min,无还原气氛保护,热导率可达148W/m·K.添加Y<,2>O<,3>-Dy<,2>O<,3>复合烧结助剂的AlN陶瓷,与添加单一烧结助剂的AlN陶瓷相比,其热导率有一定幅度提高,且较佳烧结温度降低了25℃,热导率达155W/m·K,烧结条件为添加4wt﹪的Y<,2>O<,3>,1wt﹪Dy的<,2>O<,3>,1675℃,保温115min,无还原气氛保护.两面顶烧结技术是一种快速、高效的烧结技术.与传统的烧结技术相比,大大降低了烧结温度和烧结时间.在两面顶超高压烧结过程中,烧结主要发生在烧结初始阶段,随着烧结时间的延长,对烧结体的致密度影响很大.晶界相的局部富集有的改善,延长保温时间均能有效的提高AlN陶瓷的热导率.采用不同粉料来源(国产C-AlN粉体和日本产粉本)对AlN陶瓷基片烧结及导热性能有较显著影响.在上述较佳的工艺条件下,还原气氛保护,国产C-AlN粉体烧结后的AlN陶瓷基片热导率可达160W/m·K,日本产粉体烧结后的AlN陶瓷基片热导率可达到202W/m·K.烧结条件为添加4wt﹪的Y<,2>O<,3>,4wt﹪的Dy<,2>O<,3>,1675℃,保温115min,还原气氛保护.该文采用国产AlN粉体制备的AlN陶瓷与采用日本粉体制备的AlN陶瓷相比,综合性能有一定的差距,然而考虑到国产C- AlN粉体价格低廉,仅为进口粉体价格的1/5,具有良好的经济效益,因而在工业化大规模生产方面,采用国产C-AlN粉体制造的AlN陶瓷具有更广阔的应用前景.