低温光胁迫是冬季保护地栽培面临的最常见逆境之一,会严重伤害黄瓜等冷敏感植物叶片的光系统II（PSII）和光系统I（PSI）。其中,PSI是低温光抑制的首要发生位点,且光抑制发生后恢复缓慢,甚至不可恢复。因此,防止PSI低温光抑制发生是在低温光胁迫下的首要目标。本试验以‘津优35’黄瓜为实验材料,研究了在生产中3种最重要的环境要素:温度、氮素浓度和生长光强对黄瓜叶片PSII和PSI低温光抑制抗性的影响,并探讨了PSI低温光抑制机理。研究结果如下:（1）低温光胁迫导致黄瓜叶片发生PSI和PSII光抑制,其中PSI低温光抑制程度尤其严重;PSI光抑制的发生存在临界温度,而PSII光抑制不存在明显的临界温度。亚高温锻炼促进了叶片PSI的发育但抑制PSII的发育,亚低温锻炼与之相反。亚高温和亚低温锻炼仅分别轻微减轻了低温光胁迫下黄瓜叶片PSI或PSII光抑制,但均不影响PSI低温光抑制的临界温度。因此温度锻炼不适合作为提高黄瓜光合机构低温抗性的方法。（2）增加氮素浓度显著促进叶片PSI的发育,而对PSII发育影响较小。增加氮素浓度减轻了低温光胁迫下黄瓜叶片PSII和PSI的光抑制程度,但不影响PSI低温光抑制临界温度。因此,适当的氮肥供应是缓解黄瓜叶片低温伤害的有效手段。（3）增加生长光强促进黄瓜叶片PSI发育,而对PSII发育影响较小。增加生长光强不仅减轻了4℃光胁迫下黄瓜叶片PSII和PSI的光抑制程度,还将PSI低温光抑制临界温度从10℃降低至7℃。因此,适当增加生长光强是提高黄瓜光合机构低温抗性最有潜力的方法。（4）前人研究认为过氧化氢和超氧阴离子积累导致了PSI光抑制发生。本研究发现,黄瓜PSI低温光抑制被低氧环境大幅缓解,表明PSI低温光抑制确与活性氧密切相关。但外源过氧化氢、敌草隆（DCMU）和甲基紫精（MV）处理导致低温光胁迫下黄瓜叶片中过氧化氢和超氧阴离子含量增加后,PSI低温光抑制不仅未加重,甚至还被DCMU和MV处理大幅缓解。这表明,过氧化氢和超氧阴离子不是PSI低温光抑制发生的首要原因。单线态氧产生剂虎红和曙红预处理大幅加重了黄瓜叶片的PSI低温光抑制;单线态氧清除剂PMC和玉米黄质大幅缓解了黄瓜叶片的PSI低温光抑制。上述结果表明,单线态氧是导致黄瓜叶片PSI低温光抑制发生的主要因素。