【摘 要】
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以存储密度高,寿命长为特点的光盘存储技术是信息科技的重要组成部分。高密度光盘已成为多媒体时代数据存储的关键设备。存储介质一直是高密度光存储技术中的瓶颈问题,于是寻求新型高性能光记录介质和发展新的高质量记录膜的制备方法,已成为当前的主要任务。与无机介质材料相比,有机介质材料具有灵敏度高,容易加工和便于调整结构性能等优点,但是,尽管对有机光存储材料的研究已有30多年的历史,却只有少数几种得以实用化。当
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以存储密度高,寿命长为特点的光盘存储技术是信息科技的重要组成部分。高密度光盘已成为多媒体时代数据存储的关键设备。存储介质一直是高密度光存储技术中的瓶颈问题,于是寻求新型高性能光记录介质和发展新的高质量记录膜的制备方法,已成为当前的主要任务。与无机介质材料相比,有机介质材料具有灵敏度高,容易加工和便于调整结构性能等优点,但是,尽管对有机光存储材料的研究已有30多年的历史,却只有少数几种得以实用化。当前广泛使用的有机光存储介质材料包括偶氮类染料、花菁类染料、酞菁类染料等。由于偶氮类染料与其他几
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ZnO是一种宽带隙半导体材料(3．37eV)，激子束缚能高(60meV)，远高于其它宽禁带半导体材料，在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力，如紫外发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。要实现在光电领域的广泛应用，首先必须获得n型和p型ZnO材料。本征的ZnO呈n型导电特性，可以通过掺杂实现各方面性能都较好的n型ZnO薄膜，但是ZnO薄膜的p型掺杂困难。本论文采用CVD法，以Zn_4(OH)
钛酸锶钡铁电薄膜具有介电常数高、热释电系数高、介电损耗低、漏电流小、居里温度可调以及非线性强等特点,成为铁电集成器件领域最广泛研究的铁电薄膜材料之一。组分梯度BST薄膜以组分沿着垂直于衬底方向的变化为特征,通过调节Ba/Sr比来形成梯度结构,近年来成为该领域的研究热点。用钡或锶组分在空间上呈梯度变化的过渡层代替组分均匀的层结构,减缓了薄膜/基片界面突变,并在梯度薄膜中发现了许多新的材料特性,从而产
氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电子器件。同时,GaN基半导体材料具有电子漂移饱和速度高、热导率高以及化学和热稳定性好等特点,因此在高温、高频及大功率电子器件中也有着重要应用价值,如GaN基场效应晶体管(FET)和GaN
随着太阳能技术的发展及人们对交通安全的重视,利用太阳能—土壤蓄热融雪将得以更广泛地应用;大型制冷设备换热器上结霜会严重影响换热器的效率甚至是正常使用,有效且节能地融霜有着极为重要的意义。鉴于此,本文将融雪融霜问题抽象成冰柱排的融化问题来研究,就有着相当的现实意义。本文首先利用受热面上的一排冰柱宋模仿雪或霜层的多孔骨架在空气中融化特性。通过流固界面耦合传热算法,利用计算流体动力学(CFD)软件FLU
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前人对我国黄土高原地区黄土—古土壤序列进行了大量研究,在黄土高原气候变化和土层成壤作用方面取得了丰富的研究成果。但到目前为止,国内外对黄土地下水的水富集条件和富集规律研究还较少。因此,从黄土的水理性质和成壤作用入手,研究黄土地下水富集条件,这对揭示黄土地下水富集规律和黄土高原水资源的开发及生态建设有重要的科学意义和现实意义。本文在详细的野外调研基础上,在长武县城东2km北水沟附近选择了一个发育较为