玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜及其特性分析

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氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电子器件。同时,GaN基半导体材料具有电子漂移饱和速度高、热导率高以及化学和热稳定性好等特点,因此在高温、高频及大功率电子器件中也有着重要应用价值,如GaN基场效应晶体管(FET)和GaN基异质结双极型晶体管(HFET)等微电子器件。而由于缺乏高质量大面积的体单晶衬底材料,目前大多采用蓝宝石
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在全球化的压力下,如何利用本国的文化认同实现设计认同已成为后发现代化国家设计历史与理论研究的重点。我国自20世纪80年代引入“工业设计”的概念后,就此问题已有很多论述;但其文化观念却还多局限在“中西比较”的框架中。本文在指明当前的文化研究过于强调前现代文化和后现代而有意回避现代文化的基础上;从鲜明的现代主义立场出发,围绕当前的问题,回顾中西方现代设计史;在现代化的进程中、全球化的背景下,反思设计与
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变转速液压技术是一种新型节能技术,泵控马达变转速调速系统是变转速液压传动系统中一类基本的传动系统,但是变转速调速系统存在响应慢及快速减速特性差等缺点,这限制了这种节能传动系统的普及及发展。针对以上问题,论文提出了变转速调速与阀控节流调速相结合的复合调速方案,对泵控马达变转速节流复合调速系统特性进行了较为系统地研究。所进行的主要研究内容如下:通过研究泵控马达变转速节流复合调速系统的时域仿真,分析了主
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河套平原位于干旱与半干旱地区,生态环境十分脆弱,区域水资源利用缺乏科学管理,面临着沙漠化与盐渍化这一对矛盾。在研究区域水循环的基础上,实施区域水资源科学合理配置,是本地区水资源开发利用中急待解决的问题。蒸散发量是区域水循环中的重要因素之一,掌握区域蒸散发量的时空分布规律,对合理配制区域水资源有重要的指导意义。本文采用ENVI4.2+IDL6.2操作平台基于SEBS基本原理编写的应用程序,结合地面站
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ZnO是一种宽带隙半导体材料(3.37eV),激子束缚能高(60meV),远高于其它宽禁带半导体材料,在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,如紫外发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。要实现在光电领域的广泛应用,首先必须获得n型和p型ZnO材料。本征的ZnO呈n型导电特性,可以通过掺杂实现各方面性能都较好的n型ZnO薄膜,但是ZnO薄膜的p型掺杂困难。本论文采用CVD法,以Zn_4(OH)
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