【摘 要】
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氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电子器件。同时,GaN基半导体材料具有电子漂移饱和速度高、热导率高以及化学和热稳定性好等特点,因此在高温、高频及大功率电子器件中也有着重要应用价值,如GaN基场效应晶体管(FET)和GaN
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氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下的禁带宽度为3.39eV,是新一代宽禁带半导体材料,具有广泛的应用。首先,GaN可制成高效蓝、绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电子器件。同时,GaN基半导体材料具有电子漂移饱和速度高、热导率高以及化学和热稳定性好等特点,因此在高温、高频及大功率电子器件中也有着重要应用价值,如GaN基场效应晶体管(FET)和GaN基异质结双极型晶体管(HFET)等微电子器件。而由于缺乏高质量大面积的体单晶衬底材料,目前大多采用蓝宝石
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Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3 (BZT),为Zr部分B位取代BaTiO_3(BTO)中的Ti而形成的一种BTO基钙钛矿材料。由于Zr~(4+)比Ti~(4+)化学稳定性更好,Zr~(4+)取代Ti~(4+)之后将会抑制Ti~(4+)与Ti~(3+)之间的电子跃迁,从而减小了薄膜的漏电流。因此BZT在具有较高的介电可调的同时可以保持低的介电损耗,这使得BZT得到了广泛的研究。本论文选择BZ
高速摄影机是对运动目标轨迹进行精密测量的主要组成部分之一。高速摄影机系统研制的好坏,直接关系到光测经纬仪系统研制是否成功和使用可靠性与稳定性,在光测经纬仪中占有重要的位置。本文围绕小型化紧凑型高速摄影机展开研究,介绍了摄影机的基本工作原理,对摄影机的摄影频率、画幅稳定性、画幅影像分辨率等几个主要性能,以及运动特性、输片准确性、动平衡性能、耐磨性、光特性等关键技术特性进行分析研究,明确了系统设计中应
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)薄膜因其优异的介电性能而成为可以替代铁氧体和半导体的微波调谐材料,而溶胶-凝胶法(Sol-gel)是制备BST薄膜最普遍最实用的方法,但Sol-gel法制备的BST薄膜结构疏松、表面裂纹严重、缩孔明显等,从而制约了BST薄膜的应用,为此,本论文通过改性工艺和成分掺杂制备了一系列BST薄膜,并利用XRD、SEM、XPS等现代材料分析手段对薄膜进行了表征
近年来,因采矿引起的地面塌陷灾害日趋严重和频繁,使大量的建筑物变形、倒塌、道路坍陷、耕地毁坏、水井干枯或报废、风景点破坏等,给城乡的生产建设和人民生活造成了很大危害。为了防治塌陷灾害,许多国家的专家学者们对塌陷灾害进行了深入广泛的研究,并取得了一系列成果。与此同时,风险评价也开始成为一个越来越受到人们重视的新领域,已成为地质灾害防治与管理的一个重要工具,尤其在泥石流与滑坡等领域。然而,目前采空塌陷
在全球化的压力下,如何利用本国的文化认同实现设计认同已成为后发现代化国家设计历史与理论研究的重点。我国自20世纪80年代引入“工业设计”的概念后,就此问题已有很多论述;但其文化观念却还多局限在“中西比较”的框架中。本文在指明当前的文化研究过于强调前现代文化和后现代而有意回避现代文化的基础上;从鲜明的现代主义立场出发,围绕当前的问题,回顾中西方现代设计史;在现代化的进程中、全球化的背景下,反思设计与
变转速液压技术是一种新型节能技术,泵控马达变转速调速系统是变转速液压传动系统中一类基本的传动系统,但是变转速调速系统存在响应慢及快速减速特性差等缺点,这限制了这种节能传动系统的普及及发展。针对以上问题,论文提出了变转速调速与阀控节流调速相结合的复合调速方案,对泵控马达变转速节流复合调速系统特性进行了较为系统地研究。所进行的主要研究内容如下:通过研究泵控马达变转速节流复合调速系统的时域仿真,分析了主
河套平原位于干旱与半干旱地区,生态环境十分脆弱,区域水资源利用缺乏科学管理,面临着沙漠化与盐渍化这一对矛盾。在研究区域水循环的基础上,实施区域水资源科学合理配置,是本地区水资源开发利用中急待解决的问题。蒸散发量是区域水循环中的重要因素之一,掌握区域蒸散发量的时空分布规律,对合理配制区域水资源有重要的指导意义。本文采用ENVI4.2+IDL6.2操作平台基于SEBS基本原理编写的应用程序,结合地面站
目前的卫星遥感系统能提供大量多时相或是多传感器的图像数据,为了充分利用这些多时相或是多传感器的信息,需要有效融合这些图像信息的技术,而图像的配准和融合是完成多幅图像之间信息的融合的关键图像处理技术之一。多分辨率的图像配准算法是一种广泛采用的方法,它一般采用离散小波变换将图像分解为不同分辨率的一组图像,然后由低分辨率到高分辨率进行分层配准,相比直接对原始图像进行配准的方法,基于多分辨的配准方法可以有
ZnO是一种宽带隙半导体材料(3．37eV)，激子束缚能高(60meV)，远高于其它宽禁带半导体材料，在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力，如紫外发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等。要实现在光电领域的广泛应用，首先必须获得n型和p型ZnO材料。本征的ZnO呈n型导电特性，可以通过掺杂实现各方面性能都较好的n型ZnO薄膜，但是ZnO薄膜的p型掺杂困难。本论文采用CVD法，以Zn_4(OH)
钛酸锶钡铁电薄膜具有介电常数高、热释电系数高、介电损耗低、漏电流小、居里温度可调以及非线性强等特点,成为铁电集成器件领域最广泛研究的铁电薄膜材料之一。组分梯度BST薄膜以组分沿着垂直于衬底方向的变化为特征,通过调节Ba/Sr比来形成梯度结构,近年来成为该领域的研究热点。用钡或锶组分在空间上呈梯度变化的过渡层代替组分均匀的层结构,减缓了薄膜/基片界面突变,并在梯度薄膜中发现了许多新的材料特性,从而产