中国的半导体产业近几年来得到了飞速发展，国产芯片产业从无到有，从弱到强，正一步步发展壮大。但是，国产芯片只是在有限的几个领域内取得一定的市场份额，在中高端芯片市场尤其是计算机芯片市场，国产芯片几乎是一片空白。如何突破自身的发展瓶颈，如何从代工生产走向自主R&D，如何突破国外芯片厂商的重重包围，开拓属于自己的国内国际市场，这是中国芯片企业亟待解决的问题。　　 要想突破重围，必须先学习行业内领导者的优秀经营之道。而英特尔公司就是行业内的领导者。作为几代计算机芯片技术的提供者，英特尔把R&D摆在极为重要的位置。其在世界范围内R&D投资战略的布局，尤其在华的R&D投资战略，保证了其多年来一直占据行业内领导者的位置。这对快速发展中的中国芯片企业具有重要的参考价值。　　 通过对相关文献的回顾，国外学者研究重点主要着重于跨国公司R&D投资动因及类型、R&D投资发展阶段、R&D投资区位选择、R&D组织及管理模式。国外学者较少对跨国公司在华的R&D投资战略进行研究，尤其是针对英特尔的实证研究几乎为空白。而国内学者对英特尔的研究，主要包括以下五类：英特尔R&D策略；英特尔全球发展历程以及领导人事迹介绍；英特尔全球及在华的经营战略；英特尔全球及在华的竞争与合作策略；英特尔全球及在华近年来的战略失误。其中全球及在华R&D投资战略仅停留于描述现状的阶段，不够深入。本文利用Pearce、Medcof、Kuemmerle等人的跨国公司R&D海外投资动因理论，Pearce和Papanastassiou等人提出的跨国公司R&D投资发展阶段理论，以及OliverGassmann和Maximilian von Zedtwitz提出的跨国公司R&D组织和管理模式理论，通过案例实证研究的方法有条理、系统地剖析了英特尔在全球及在华经营战略、R&D投资的现状、区位选择、R&D投资战略特点、内外部动因，总结了英特尔R&D投资战略对国内芯片企业的借鉴意义。　　 文章首先对R&D的概念作了界定，并对几种经典的跨国公司海外R&D投资理论进行了阐述，作为本文分析的理论基础。然后对英特尔研究的相关文献进行回顾总结后提出了本文分析框架。　　 第二章和第三章是全文叙述的重点。第二章叙述英特尔全球投资战略，首先阐述了英特尔全球经营战略，包括英特尔的全球发展历程，英特尔的全球组织架构以及英特尔在全球取得的业绩。英特尔自1968年成立以后，至今仅有40年历史，但已经发展成为世界半导体产业的领导者、信息产业的杰出代表者。英特尔在全球的组织架构比较复杂，本文从总公司领导集团，大事业部，区域事业部，工厂或销售公司，各个部门或车间这五个纵向层面分析了其全球组织架构。文章运用大量的图表和数据说明了英特尔全球组织架构以及在全球的发展情况和主要业绩。　　 对于英特尔在全球的R&D投资战略的阐述包括三个部分：首先是英特尔全球R&D区位选择及业务战略。区位选择及业务战略在不同阶段是不同的。英特尔全球R&D投资发展经过了三个阶段：第一阶段建立的代表性R&D中心包括位于英国剑桥的R&D中心，以及位于上海的英特尔支持中心。第二阶段，英特尔建立了当地一体化的R&D中心，其中比较有代表性的就是位于北京的英特尔中国研究中心(ICRC)。第三阶段，英特尔把已经在当地建立的R&D中心进行全面升级，建立成全球技术中心，这些中心很少与当地的其他职能部门联系。在区位选择方面，英特尔在全球的R&D区位选择跟东道国的市场规模高度相关，美国区、亚太区和欧洲区在市场规模方面高居前三位，而R&D区位选择也侧重于这三地。而英特尔的R&D投资业务遍及芯片、通信、计算、系统、标准等内容，致力于成为综合的信息服务提供商。关于英特尔在全球的R&D投资战略阐述的第二部分是阐明其全球组织模式，属于“多中心模式”。最后，文章用图表介绍了英特尔全球R&D的两个主要特点：其一是R&D投入大，走技术领先型之路；二是一流的R&D人员稳步增长，为全球R&D战略提供了强有力的人力资源支持。　　 英特尔在华R&D投资战略是本文的重点。英特尔在华R&D投资战略是属于在华经营战略的一部分。英特尔在华经营战略包括三部分：其一是英特尔在华发展阶段。包括三个阶段，分别为进入阶段(1985年-1993年)、本地化阶段(1994年-1997年)、深化阶段(1998年-至今)。其二是英特尔在华投资区位布局。包括生产与制造布局，市场和销售布局。其三是英特尔在华教育投资战略。包括英特尔教育投资战略的目的及内容，而内容则包括针对基础教育、高等教育以及面向青少年的社区教育三个部分。　　 在华R&D战略包括：在华R&D在全球R&D体系中的地位和作用；在华R&D投资组织结构；在华R&D投资区位布局，并在最后阐述了英特尔在华的R&D业务内容。并对英特尔中国研究中心进行实证研究，详细剖析了该机构的R&D业务、人员结构、R&D溢出等。该章最后一节，通过对英特尔在华R&D战略与其在全球的R&D战略之对比，英特尔与其最大竞争对手AMD的R&D战略之对比，以及英特尔与国内芯片企业的R&D战略之对比，阐述了英特尔R&D战略的特点。　　 英特尔选择在华进行R&D投资的动因可以分为我外部因素和内部因素两大方面。外部影响因素有：政府优惠政策和经济开放度的不断提升；良好的创新环境；中国巨大的市场等；而内部影响因素有：支撑当地生产，实现技术本土化；获取中国的低成本高素质人才，提高竞争实力；获取中国的互补性技术资源或知识性资源。　　 本文的写作意义在于通过分析英特尔在全球以及在华的R&D投资战略，突出其R&D战略特点，对发展遭遇瓶颈的中国芯片企业提出一些建议。从英特尔的R&D经验来看，中国芯片企业应该从以下六个方面建立自身的优势：加大对R&D投资和完善R&D投资体系；提高研究开发能力，坚持走自主创新之路；树立“以人为本”的战略思想，尊重人才，为人才的成长创造好的环境；提高科技成果转化能力；提高市场开拓能力，建立与市场地位相称的R&D体系；加强同国外芯片企业的交流，聘用国外优秀科研人才为芯片企业技术创新服务。而作为政府来说，应该加强以下五个方面：完善国家的创新体系；完善要素市场和产品市场；维护公平竞争的市场环境；设置内外资芯片企业竞争的同一平台；鼓励芯片企业到海外建立研究与开发机构。只有企业和政府共同努力，中国的芯片企业才能做大做强。