铅基弛豫铁电体Pb（Mg1/3Nb2/3）O₃-PbTiO₃（铌镁酸铅-钛酸铅,PMN-PT）由于在准同型相界（MPB）附近具有优异的压电性能和机电耦合性能而受到了广泛的关注。但是由于PMN-PT在MPB附近的三方相-四方相相变温度(T_rt)较低,使得材料的温度稳定性大大下降,在超过T_rt的温度下性能迅速降低,严重制约了其在大功率器件或在高温环境下工作器件上的应用。Pb（Mg1/3Nb2/3）O₃-PbTiO₃-PbZrO₃（铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅,PMN-PT-PZ）体系在PMN-PT的基础上加入了Zr这一元素,被认为有望生长出高T_rt、大尺寸、高质量的单晶,但已有的工作尚未对PMN-PT-PZ单晶进行过全面系统深入的研究。本文以PMN-PT-PZ体系作为研究对象,首先通过传统固相反应法制备了（1-x）[PMN-PT（65/35）]-xPZ（x≤0.10）系列陶瓷,发现PZ的掺入具有扩大三方相热力学存在范围的作用,从而提高T_rt,并且T_rt对于材料铁电及热释电性能的稳定性影响非常大,剩余极化强度（Pr）、矫顽场（Ec）以及热释电系数（p）都会在T_rt附近发生突变。此外,实验发现随着PZ含量的增多,压电常数（d33）会随之降低。综合而言,0.96[PMN-PT（65/35）]-0.04PZ组分陶瓷的T_rt为100℃,具有较高的压电常数（502pC/N）和机电耦合系数（0.51）,是综合性能最为突出的组分。为了弥补Zr的非一致熔性所带来的组分偏差,调整了组分,以0.95[PMN-PT（65/35）]-0.05PZ为名义组分进行了晶体生长,得到了预期中的高质量、大尺寸（最大长度达8mm）单晶,通过X射线衍射谱图分析发现室温下晶体为三方相。成功制备了[001]c、[110]c、[111]c晶体样品。发现晶体样品T_rt均高于100℃,最低115℃,最高126℃,完全可以满足大部分器件的应用温度要求;与陶瓷一致,发现T_rt对于单晶性能的温度稳定性的影响十分重要,各重要性能参数都在T_rt时发生突变。通过畴结构的变化分析了不同切型单晶样品性能之间的差异,发现[001]c样品的三方相结构具有‘4R’的工程畴态,并且具有?（21℃,10kHz）=4750、d33*（21℃）=1208 pm/V的最佳性能。通过正交偏光显微镜对消光规律较为明显的[001]c样品进行了变温条件下的原位观察,证实了在T_rt附近晶体样品发生了三方到四方相结构的转变,并且在临近居里温度时发生了由四方铁电相到立方顺电相的转变。此外,对[110]c和[111]c晶体样品偏光显微镜的原位观察也确认了常温下的三方相结构。