本论文共分为三个部分，包括结论、化学方法合成分子印迹聚合物膜修饰电极的研究和应用、电化学方法合成分子印迹聚合物膜修饰电极的研究和应用。 第一章为绪论部分。对化学修饰电极的基本理论知识、发展历史、现状以及分子印迹技术的相关原理、特点进行了较为全面的评述，综合以上两方面对分子印迹聚合物膜修饰电极的发展现状及前景也做了介绍，详细总结了本文的选题思路、研究特色和创新点。 第二章是化学方法合成分子印迹聚合物膜修饰电极的研究和应用。把传统而成熟的分子印迹聚合物的合成方法，即自由基引发双键加成反应，直接借鉴过来，在自制的碳棒电极表面原位合成分子印迹聚合物膜，模板分子香草醛主要是通分子间氢键与功能单体作用，是分子印迹中形状识别外的另一个识别因素。实验得到的修饰电极对目标物香草醛分子有比较好的响应，电洗脱能有效除去目标物，省时且操作简单，检测和洗脱同步完成，在实验条件吸附时间选择5min时，到线性范围为2.0×10<-4>—1.0×10<-2>mol/L，且可根据需要选取合适的吸附时间得到不同范围。分子印迹膜修饰电极有一定的选择性，可以排除大部分相似物的干扰。 第三章是电化学方法合成分子印迹聚合物膜修饰电极的研究的应用。利用能发生电聚合的体系来制做分子印迹聚合物，最终用邻苯二胺制得了香草醛的分子印迹聚合物膜修饰电极，其中巧妙地运用了胺和醛反应生成席夫碱的特性，邻苯二胺既是聚合单体，又是和模板分子香草醛相互作用的功能单体，并且它们之间的作用力属分子印迹中的共价键作用，键能较大，结合比牢固。而席夫碱键在一定条件下可以断开，发生可逆反应，因此并没有给洗脱带来麻烦。该修饰电极对香草醛分子有良好的响应，同时具有较好的选择性，在实验条件选择吸附时间为3min时，分子印迹膜修饰电极对香草醛的线性响应范围是1 X i0<-3>-1.3×10<-2>mol/L，还可以根据需要选择合适的吸附时间，得到不同的线性范围。