随着工业和科学技术的迅速发展，开发具有优异性能的高Curie点压电陶瓷材料满足不同环境使用要求已成为当务之急。Bi3TiNbO9陶瓷材料因较好的高温特性而备受关注。论文以Bi3TiNbO9为陶瓷体系通过掺杂改性和流延技术(TGG)以期获得Tc高、压电性能好、损耗低的陶瓷材料。具体研究工作如下:　　 (1)采用固相法制备Bi3TiNbO9+xwt％Bi2O3(x=0，1，3，5，7和10)陶，研究Bi2O3掺量对陶瓷物相、显微形貌及其压电、介电性能的影响。低熔点Bi2O3过量可降低烧结温度;随着氧化铋含量增加体系Pr和Ec呈现下降趋势，这可能是由于Bi2O3过量补充了其高温挥发，抑制氧空位产生，同时晶格畸变减小，击穿强度增大而引起的电学性能变化，x=3％，体系压电性能最佳。　　 (2)将Bi3TiTaO9按不同百分比(y=0，1，3，5和7mol％)固溶于Bi3TiNbO9(x=3％Bi2O3)材料体系，y≤3％时，体系为纯的BNTO相，当y值进一步增加，产生第二相，固溶度约为3％;随着y值增加，Pr和Ec呈现先增大后减小的变化趋势，y=3％时，压电性能达到最佳。　　 (3)采用熔盐法制备片状Bi3TiNbO9模板，模板显微形貌与合成温度、保时间密切相关。最佳合成工艺:在900℃预烧，保温8h，晶粒径向尺寸L≈3.89～5.33μm, t≈0.11～0.20, L/t≈19～47。　　 (4)通过TGG织构制备技术研究不同模板含量和不同织构方向对Bi3TiNb-O9显微形貌和电学性能的影响。相对固相法制备，采用织构技术制备得到的陶瓷样品致密度明显增加，同时织构陶瓷随着模板含量增加体系致密度呈下降趋势。随着模板含量增加，压电、介电性能呈现先增大后减小变化规律，织构度呈现相同变化规律，这可能是由于适量模板加入，促进晶体沿着c轴取向生长，导致该方向上电学性能提升。不同织构方向陶瓷材料取向度差异较大，垂直于(001)方向的平面c轴取向生长，平行于(001)方向平面其主要衍射峰为(200)/(020)，c轴取向性很弱，电性能较差，x=5％时，垂直于(001)方向平面织构制备的样品剩余极化强度Pr最大，电阻率、击穿强度高，压电性能最佳，d33=5.2 pC/N。