随着IC制造业的迅速发展,光刻成像技术的不断提高,芯片的特征尺寸也不断的缩小,而关键尺寸的缩小则产生了对套刻精度更高的要求。套准精度(Overlay)是现代高精度步进扫描投影光刻机的重要性能指标之一,也是新型光刻技术需要考虑的一个重要部分。套准精度将会严重影响产品的良率和性能。提高光刻机的套准精度,亦是决定最小单元尺寸的关键。我们有必要研究IC制造工艺与光刻对准的关系,从而挖掘出影响光刻对准精度的因素,并加以改进。套准精度就是微影制程中,当前层与前层之间的叠对精度。如果微影制程的套准精度超过误差容忍度,则层间设计电路可能会因为位移产生断路或短路,从而影响产品良率。套准误差产生的原因有很多种形式,其中包括平移、旋转、扩张等各种形式,而不同的误差形式都会对曝光位置的偏移量造成不同的影响。本文通过对光刻机的理论分析和实验结果,了解影响光刻机套准精度的一些方面,并加以改善。我们将从三个方面加以探讨和研究:讨论光刻机外在温度对晶圆的影响而引起的套准误差,并从光刻机硬件方面考虑和改造来改善其套准精度;通过对光刻机结构的探讨和研究,了解激光干涉仪对曝光平台的步进控制原理,改善曝光台的步进精度,从而改善机台的套准误差;通过对光刻机软件参数的补偿,能够比较容易的调整套准精度,较少套准误差,来对光刻的套准精度进行改善。