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本论文包括两个方面：1．氧化物半导体γ-Ga<,2>O<,3>量子点的溶剂热合成与性质表征；2．无机钙钛矿结构氮氧化物的合成与性质研究。具体如下：
1．采用溶剂热的方法合成了亚稳相的，γ-Ga<,2>O<,3>量子点。此路线以GaCl<,3>直接溶于N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，然后加热、反应得到目标产物。此方法简单、重复性好，而且所得产物粒径分布均匀。选取了不同粒径大小的γ-Ga<,2>O<,3>研究其尺寸的演变所导致的光学性质的变化。首先，当产物从72 nm减小至4．2 nm时通过紫外—可见光吸收谱可以看出产物的吸收边出现蓝移，表现出明显的量子效应；基于光吸收数据采用Tauc方程拟合的方法确定了所得产物为直接带隙半导体结构并确定了带隙大小是3．99 eV(样品的粒径为4．2 nm)和4．51 ev(样品的粒径为72 nm)；另外，当纳米晶从72 nm，30 nm，8 nm减小至4．2 nm时，其光致发光峰出现了蓝移和发光峰的劈裂，发光由一个较宽的峰劈裂成两个较为锋锐的峰，这是由于尺寸减小的所具有的量子限制效应及超细晶粒的表面存在大量缺陷能级所引起的；另外，由于量子点的表面扭曲和缺陷导致它们可以发射出肉眼可见的蓝绿光。对于不同的激发源所导致的光致发光性质的不同也做了探讨。
2．发展了一种新的合成氮氧化物的方法。在较低的温度下， 280-480℃，的条件下通过固相反应，采用氨基钠作为氮源，用氧化物，氯化物，或碳酸盐作为金属源合成了一系列的具有钙钛矿结构的氮氧化物：BaTaO<,2>N，SrTaO<,2>N，BaNbO<,2>N，SrNbO<,2>N。X-射线粉末衍射结果表明SrNbO<,2>N和SrTaO<,2>N四方结构，BaTaO<,2>N和BaNbO<,2>N具有立方结构。此外，还比较详细的研究了它们的光吸收和光致发光性质。对于实验条件丰要从温度方面进行了优化，并讨论了不同的金属源对合成目标产物的影响。