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随着半导体元件大规模集成化,电子元器件趋于微型化,电子设备趋于小型化,需要磁性器件向小型、薄膜方向发展,具有高饱和磁化强度、高电阻率、高磁导率和低矫顽力的软磁薄膜成为磁性材料发展的必然方向。由金属一绝缘介质组成的纳米多层颗粒膜是结合纳米颗粒膜和纳米多层膜于一体,既有磁性金属纳米颗粒镶嵌在绝缘介质中的颗粒膜结构,又具有金属一绝缘介质颗粒层与绝缘层相间的多层结构,在颗粒膜的基础上,大大增加了电阻率。使一种材料同时具有高磁导率和高电阻率,这类薄膜材料成为软磁材料研究中的一个亮点。 本论文中,我们利用射频磁控溅射方法制备了FeCoSiO/SiO2系列纳米多层颗粒膜。用X射线衍射和X射线能量色散谱研究了样品的基本结构和成份;用振动样品磁强计（VSM）和传统的四端法研究了样品的磁性和电性;用单端带线法装置测量了样品的高频磁谱,得到的主要结果如下: 1.成功制备了FeCoSiO/SiO2系列纳米多层颗粒膜,X射线衍射显示该薄膜中FeCo颗粒为bcc结构,晶粒在10nm以下且晶粒大小随FeCoSiO颗粒层厚度增加而增加,SiO2为非晶态。小角X射线衍射（SXRD）显示当FeCoSiO颗粒层厚度或SiO2层厚度增加时,界面变得平整,周期结构变得明显。 2.软磁性能随SiO2层厚度的减小而变好,对t（SiO2）<3nm的样品,样品呈现很好的平面单轴各向异性,这是由于颗粒层间存在交换耦合所致。另一方面,随着绝缘层厚度的增加,电阻率增大,饱和磁化强度减小。同时由于交换耦合减弱,矫顽力Hc增大。当SiO2层厚度增加到3nm时,软磁性能开始降低。 3.测量了FeCoSiO/SiO2纳米多层颗粒膜中,FeCoSiO颗粒膜层厚度为5nm,SiO2层厚度为0.5nm和1nm时的磁谱,自然共振频率分别在2.2GHz和2.6GHz,实部在1.1GHz以下分别保持在120和50左右,虚部分别在60和25左右,说明层间交换耦合有利于提高复数磁导率并预示着这种材料有很好的高频应用前景。