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该文计算了无限深GaAs量子阱线中的杂质态和单激子体系的束缚能,其结果与前人的理论和实验结果符合的很好.然后,把量子阱线中激子和杂质态等效为一维激子和杂质态,即等效势模型,由此计算得到了势参数α<,D>、γ<,D>、α<,X>和γ<,X>随线宽的变化关系.对于无限深GaAs量子阱线中的(D°,X),仍然采用一维等效势模型,在该模型中,无限深GaAs量子阱线中的(D°,X)体系的变分波函数选为φ=N[|Z<,23>|<,β>exp(-α|Z<,23>|)exp(-α<,X>|z<,23>|)exp(-α<,D>|z<,1>|)+(1( )2)].在波函数Φ中,考虑到电子-空穴和电子-电子的相关效应,并且计入全同粒子不可识别所带来的交换影响,α和β是变分参数,而α<,D>、α<,X>、γ<,D>和γ<,X>由一维等效势模型中杂质态和激子态的能量方程确定.通过复杂的数学推导得到(D°,X)体系的束缚能E<,XD>.该文还计算了各粒子问的平均距离〈γ〉随量子阱线宽的变化关系,得到了比较好的结果.最后,对计算的结果进行了较详细的讨论,得出如下结论:(1)无限深GaAs量子阱线中中性施主束缚激子的基态束缚能随量子阱线的增加而减小,当线宽很窄时,束缚能趋于无穷大,没有峰值的原因是因为采用了无限深势的量子阱线模型;当线宽趋于较大值时,体系的束缚能趋于 Gaas体材料中的数值.(2)无限深GaAs量子阱线中中性施主束缚激子的基态束缚能随线宽的变化与相同条件下的双激子体系、无限深量子阱中(D°,X)的结果进行了比较,证明了所得结果的合理性.(3)计算了长方形量子阱线中当矩形一边长L一定时,(D°,X)的束缚能随另一边长W的变化关系.当L一定时,束缚能随W的增大而减小.量子阱线中体系的束缚能取决于约束截面的横截面积,而不是单单仅和某一约束方向有关.(4)粒子间的平均距离〈γ〉随阱线宽的增加而逐渐增加的变化趋势与束缚能随阱线宽的变化趋势相反,当阱线宽趋于较小时,各粒子间的平均距离也随之趋于较小值,而此时的体系的束缚能很大.电子-杂质的平均距离要远小于空穴一杂质的平均距离,这是由于库仑势作用的结果.电子-空穴的平均距离小于电子-电子的平均距离也是理所当然的.