量子阱线相关论文
由于半导体量子阱线中激子和复杂激子的特性在光学器件中有着重要的作用。所以对低维半导体结构（量子阱、量子阱线，量子点等）在过去几......
采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阱线中来考察矩形横截面量子阱线中浅施主杂质的结合能,并对等横......
该文采用变分法,在外加磁场条件下分别计算了激子在无限深和有限深方形量子线中的基态束缚能.在计算的过程中进一步考虑了阱,垒中......
研究人员显微拉曼和微荧光光谱的方法研究了GaAs量子阱线的拉曼谱,用几种不同波长激光探测了Si纳米线的拉曼光谱.......
研究人员首次将系统推导法确定等效维为a应用在量子阱线、量子点中来考察矩形横截面量子阱线中激子、浅施主杂质的结合能以及长方......
该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/GaAlAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚......
在有效质量近似下,我们采用变分法,分别计算了磁场对方形量子阱线和正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响,将结果与前人的工作进行......
该文计算了无限深GaAs量子阱线中的杂质态和单激子体系的束缚能,其结果与前人的理论和实验结果符合的很好.然后,把量子阱线中激子......
本研究在有效质量近似下，选用了三个变分参数的波函数，利用变分法数值计算了无限深方形量子阱线中中性施主束缚激子体系(D0，X)的......
本文在有效质量近似下，采用一维等效模型对GaAs抛物形量子阱线中的激子以及激子复合物(带电激子和双激子)的束缚能进行了计算。在计......
科学技术的迅速发展，使得各种低维半导体纳米材料的研制变成现实．由于半导体纳米材料中的载流子的运动在空间受到封闭性限制，从而使其......
采用无限深势阱模型 ,利用变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响 ,同时还讨论了施主离子位置的......
采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等维数α应用在量子阱线中来考察矩形横截面量子阱线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面......
采用无限深势阱模型，利用变分法计算了磁场对截面为方形的一维量子阱线中类氢杂质基态束缚能的影响，同时还讨论了施主离子位置的变化......
采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算，分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以......
在周期性边界条件下，利用平面波展开计算了Ｔ型量子线的电子结构，通过构造能级的拟合公式，由小数目平面波展开得到的能量值求得原来只能......
<正> The ground-state and lowest excited-state binding energies of a hydrogenic impurity in GaAs parabolicquantum-well w......
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性，计算了GaAs／Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面,结果......
半导体低维纳米材料在人造光电和电子器件方面有着广泛的应用,而表面和界面声子极化激元对了解半导体低维系统的光学性质起着很重......
学位
氮化物半导体，具有宽禁带和强束缚能等特点，在量子器件设计中，比GaAs基半导体具有更广阔的应用前景。氮化物半导体的晶体结构有两类：六......
本文采用一维有效势模型,利用有限差分法研究了在磁场作用下抛物势量子阱线中负施主杂质离子体系(D-离子)基态的相关性质。我们计......
本文在有效质量近似下,采用一维等效势模型,选取数学形式简单、物理意义明确的两变分参数的波函数,利用变分法数值计算了无限深GaA......
