氧化亚铜作为典型的P型半导体材料,禁带宽度为2.0².2 eV,光谱响应范围可以达到可见光区,被广泛应用于太阳能电池、光催化和气体探测器领域。本论文中,我们合成了Cu₂O纳米颗粒和纳米线。以此纳米结构为基础,对其进行了多聚-L-赖氨酸修饰,制备了基于Cu₂O纳米结构基光电器件。探索了Cu₂O纳米材料在光电探测器件中的新应用。相关工作如下:1、优化实验参数,实现Cu₂O纳米颗粒和纳米线的合成。制备的Cu₂O纳米颗粒尺寸在200⁴00nm。Cu₂O纳米线的直径在85¹30nm,长度为几十至几百微米。2、研究多聚-L-赖氨酸对纳米颗粒Cu₂O/ITO异质结光电性能的影响。利用多聚-L-赖氨酸对Cu₂O/ITO器件进行修饰,发现多聚-L-赖氨酸修饰对电流响应具有比较明显的提高。在外加偏压为+0.5V时,器件在黑暗和氙灯、532nm及808nm激光光照条件下,电流响应相对于未修饰时,分别增大3.3倍、1.7倍、4.5倍和3.77倍。3、研究多聚-L-赖氨酸对纳米线Cu₂O/Si异质结光电性能的影响。（1）利用多聚-L-赖氨酸对Cu₂O/Si器件进行修饰,发现其光生电压信号的幅值由48mV增长为60mV,响应时间由15ms降低至10ms。预示着可将此器件用作新型光探测器。（2）对纳米线Cu₂O/Si异质结器件的光生电压信号随光照位置敏感特性进行测试。随着光斑由L端（电极接在Cu₂O层上）向R端（电极接在Si基底上）移动,光生电压值逐渐线性减小。预示着可将此器件用作新型光位置探测器。4、研究了纳米线Cu₂O/Si异质结器件对湿度的响应。改变热蒸汽的相对含量,Cu₂O/Si器件将产生明显的电压信号变化响应,且二者呈正相关性。这种新发现预示着纳米线Cu₂O/Si异质结还可以用作新型的湿度探测器。