从世界上第一例多孔硅诞生以及第一次将多孔硅用作太阳电池的减反射材料到现在,多孔硅的制备技术及其应用有了很大进展,但是如何进一步促使形成的孔洞更加均匀以及降低多孔硅的反射率、提高少数载流子寿命、增强与硅基太阳电池其它工艺的兼容性等问题还有待解决。用相同掺杂类型、相同掺杂浓度的单晶硅硅片作为衬底,以电化学方法制备的多孔硅的微结构特征(颗粒直径、高度、粗糙度等)及其光学性能(反射率、折射率、吸收率等)主要取决于制备方法及制备条件,所以对多孔硅制备方法及制备条件的研究是促进多孔硅广泛应用的根本。本文以石墨电极为阴极,采用电化学阳极腐蚀法进行多孔硅的制备,研究了腐蚀电流密度、腐蚀时间、腐蚀液浓度等电化学腐蚀条件对多孔硅的微结构及光学性能的影响。借助原子力显微镜(AFM)表征样品的表面微结构及参数,其光学性能则通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)得到的吸光度值来表征。本文主要完成了以下工作：(1)研究了利用石墨电极作为阴极,通过电化学腐蚀的方法制备多孔硅层过程中避免电极表面碳原了剥离的问题；(2)在初步确定腐蚀电流和腐蚀溶液浓度的条件下,通过研究腐蚀时间对多孔硅形貌的影响,为后续试验的开展确定了多孔硅形成的时间区间；(3)将通过AFM得出的粗糙度和颗粒度参数用于表征多孔硅的微观形貌,研究了腐蚀电流和腐蚀溶液浓度的变化对多孔硅微观形貌的影响,将这两个腐蚀参数同多孔硅表面的颗粒数量联系起来；(4)通过傅立叶红外光谱仪测试了多孔硅层的减反射性能,确定了适合于太阳电池减反射的电化学腐蚀参数。由于多孔硅的形貌和光学性能受电化学制备条件和硅片自身的影响较大,本文得出的最佳实验参数对其它类型的单晶硅片而言,可能不是最优条件。