单晶MgO具有良好的光学特性、机械特性、电学特性，较好的化学稳定性、热传导性和绝缘性，广泛用作基底材料生长高温超导薄膜、铁电薄膜、磁学薄膜和光学薄膜等。基底材料的表面质量，是影响在其上生长的薄膜质量的重要因素。单晶MgO由于具有吸附潮解特性，高精度的单晶MgO基片在潮湿环境或空气中长时间放置，会与空气中的水分和CO₂发生反应，产“潮解”和“雾化”，破坏基片的表面晶体结构，影响基片的表面质量，进而影响在它上面生长的薄膜质量。目前，虽然单晶MgO基片的高效超精密加工技术已经比较成熟，能够加工出亚纳米级的基片表面，但是对基片表面的吸附潮解行为却缺乏系统的研究，没有具体的高质量基片表面保护措施。本文针对单晶MgO抛光基片表面的吸附潮解特性问题，进行了系统的实验研究。在实验结果的基础上，对基片表面的吸附潮解反应进行了分析，所取得的研究结论如下：1．不同环境条件下，单晶MgO（100）抛光基片表面的吸附潮解情况不同：在空气中的基片表面吸附潮解得最快、最严重，其次为在干燥箱中的，再次为在N₂气和Ar气中的，而在真空中的基片表面吸附潮解得最慢、最不明显；2．空气湿度和温度对单晶MgO（100）抛光基片表面的吸附潮解有重要的影响：空气湿度越大，基片表面吸附潮解越快、越严重；在一定的温度范围之内，空气温度越高，基片表面吸附潮解越快、越严重；3．不同表面加工质量的单晶MgO抛光基片表面在空气中的吸附潮解情况不同：表面有划痕加工缺陷的抛光基片比表面无划痕加工缺陷的基片吸附潮解得更快、更严重；4．不同晶面的单晶MgO抛光基片表面在空气中的吸附潮解情况不同：（111）面吸附潮解得最快、最严重，其次为（110）面，（100）面吸附潮解得最慢、最不明显；5．不同的水覆盖率作用下以及不同的晶体缺陷处，单晶MgO抛光基片表面吸附潮解反应的微观结构是不同的，微观结构的配位数决定了基片表面吸附潮解的反应活性。基于上述的实验和理论分析结果，提出了单晶MgO抛光基片高质量表面保护措施：（1）提高基片表面加工质量，尽量减少加工缺陷；（2）将加工好的基片放置于干燥的、密闭的、具有保护气氛的环境中。