本论文对X波段8～12GHz宽带单片集成低噪声放大芯片(MMIC LNA)进行了研究,论文主要介绍了MMIC LNA的设计原理及方法,芯片电路设计、版图设计及其的电磁场仿真,芯片的流片以及最后的测试。芯片测试结果达到国内领先水平。本次设计采用台湾WIN半导体公司提供的0.15μm GaAs Low Noise PHEMT工艺进行X波段单片集成低噪声放大芯片的电路设计。本论文设计的低噪声放大芯片采用三级级联放大的拓扑结构,每一级根据不同的指标要求分别对管芯及其匹配电路进行设计,同时为便于级联,将各级的输入/出匹配到50欧姆,然后再进行三级的级联以及电路的优化设计,以满足宽带,低噪声,高增益的要求。待电路设计完成,根据工艺要求设计电路版图并进行版图的电磁场仿真,根据仿真结果,对电路进行改进优化,最后完成电路的整体设计。在设计过程中,末级电路采用了负反馈结构,提高了芯片在工作频带内的增益及其平坦度。采用源端负反馈结构和稳定衰减结构来保证电路的稳定性。并对电路进行敏感度优化,以保证电路加工的成品率。最后实现的X波段宽带单片集成低噪声放大芯片在8～12GHz的工作频带内具有很好的性能,测试结果表明噪声系数典型值1.2dB,增益大于25dB,增益平坦度小于±1dB,输入输出驻波小于1.5,达到了设计指标的要求。