寻找可再生、廉价、清洁新能源己成为当前人类面临的迫切课题。其中,太阳能是一种清洁、安全、环保可再生能源。CuInSe2(简称为CIS )是一种直接带隙材料,光吸收系数高达105数量级,是目前己知的光吸收性最好的半导体薄膜材料,由于其光电转换效率高,使得CIS薄膜太阳电池成为当今光伏领域的研究热点。本文以硫酸铜、硫酸铟、亚硒酸和络合剂柠檬酸钠的水溶液为电解液,在镀有Ni层的低碳钢上采用恒电位电沉积方法制备出太阳能电池薄膜材料CIS薄膜。通过X射线荧光光谱仪(XRF)、X射线衍射仪(XRD)、粗糙度仪、金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、以及线性扫描方法对制备的薄膜的各种性能进行表征。试验结果表明随着铟盐及络合剂含量的增加,pH值接近1.5时镀层的光电转化性能最好,镀层成分最接近Cu、In、Se三种元素理想配比(即原子个数比为1:1:2)。通过上述研究优化出四种较优的工艺配方,并对其在不同电压下进行光电转化性能、薄膜成分及晶体结构的研究。通过上述研究得出最优的工艺配方,并对最优工艺配方及较优工艺配方得到的镀层做表面质量及表观形貌的研究,结果表明最优工艺配方制备的镀层表面平整性最好,晶体结晶度和致密性最优。同时研究了热处理工艺对镀层表面质量及表观形貌的影响,结果表面热处理工艺增强了镀层表面的平整性和与基体的结合力。