光介电或光电容效应是指在入射光的作用下，介电材料的介电常数发生变化的现象。真实材料中的光介电效应可正可负，其中正光介电效应具有重要的应用价值。本文关注具有正光介电效应的小极化子类型半导体材料，通过实验研究该类典型材料的光介电性质，并在理论上阐述其光介电性质的规律性。　　第一章概述了光介电效应的特点和实际应用，介绍了光介电效应的历史和当前国内外的研究现状，阐明本文的选题依据和研究内容。　　第二章详细介绍本工作的实验方法，包括样品制备和测量方法。　　第三章主要研究了在不同强度的光照下，小极化子类型半导体材料金红石二氧化钛的介电性质。实验结果表明在50?400 Hz交流频率范围内，紫外光照可极大提高金红石的介电常数，同时降低介电损耗。　　第四章分析了小极化子类型半导体材料的小极化子的动力学过程以及在光照下的介电常数增大的原因，推导出描述光照下小极化子动力学过程的数学公式。利用推导的数学公式，拟合了金红石二氧化钛的介电常数与光照时间的依赖关系，得到诸如小极化子寿命等重要物理参数。　　第五章通过对比实验，研究了更多材料（如非小极化子类型材料锐钛矿二氧化钛、小极化子类型材料氧化钨等）的光介电性质，进一步揭示了小极化子材料的光介电性质的特殊性。　　第六章总结了本文的关于小极化子半导体光介电性质的实验结果和小极化子动力学过程的理论分析结果，同时提出进一步的研究工作计划。