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随着纳米技术的发展，人们正积极探索新的材料。ZnO同时具有半导体和压电双重特性使其在纳米机电系统中具有重要的应用价值，因而近年来成为人们研究的热点。
本文首先介绍了ZnO晶体的制备方法、常见构型、晶体结构和物理性质。其次介绍了王中林等人提出的ZnO薄板的弯曲理论，该理论把ZnO薄板看作带有束缚电荷的电容器，弯曲前后由于空间构型的变化电容器储存的静电能减小而弹性应变能增大，最终稳定的构型使二者之和取极小值。沿着这一思路，本文提出了一个新的模型。但与前者不同的是，认为静电能的变化不是由于电荷的空间分布变化造成的，而是归因于ZnO的压电性质。该理论的预言和许多实验结果相一致。