Ti₃SiC₂是一种新型陶瓷材料，其理论密度为4.53g/cm³，熔点高达3000℃，它和金属一样具有优良的导电、导热性能，高温下塑性较好，并对热震不敏感；像陶瓷材料一样具有高的熔点、耐腐蚀性好、高的屈服强度及抗氧化性。由于它具有两者的特点，因此具有很大的应用前景。本文通过利用无压烧结方法制备Ti₃SiC₂，并且探索密封装置及烧结介质对其纯度的影响。通过在铜基体中分别添加含量5wt%，15wt%，25wt%，35wt%的Ti₃SiC₂，采取多种工艺进行制备Cu Ti₃SiC₂导电复合材料。采用Ti、Si、石墨粉作为原料，利用无压烧结制备Ti₃SiC₂材料，实验过程中采取了不同的原始配比，分别在真空和氩气氛下进行了实验，并且探索了密封性对Ti₃SiC₂纯度的影响。实验结果表明，密封性对Ti₃SiC₂的纯度有影响，密封性越好，Si含量挥发越少，其杂质相越少。当在不同的烧结气氛下烧结时，其纯度也受到影响，结果表明，真空烧结有利于试样的纯度。由于Si易挥发，因此采取Ti:Si:C=3:1.2:1.8的配比，在真空烧结利用双重坩埚实验，结果显示Ti₃SiC₂纯度高。采用无压烧结方法制备Cu Ti₃SiC₂复合材料，实验结果表明，随着Ti₃SiC₂含量的增加，复合材料的密度下降，电阻率增大，而硬度是先增大后降低；另外复合材料的相对密度较低，当Ti₃SiC₂含量为5wt%时，其相对密度93.4%，当Ti₃SiC₂含量为35wt%时，其相对密度为71.6%，孔洞率比较高。当添加高含量的Ti₃SiC₂时，其综合性能有所下降，因此此种工艺不适合制备高含量Ti₃SiC₂。利用复压复烧工艺制备Cu10wt%Ti₃SiC₂复合材料，结果表明，随着压力的增大，其相对密度得到提高，当采取400MPa时，其相对密度高达95%，因此复压复烧工艺有利于提高试样的密度、硬度，降低电阻率、摩擦系数；采取通电和不通电进行了摩擦磨损实验，实验结果表明，通电下的摩擦系数比不通电下要小，而磨损要大。采用高速冲压制备一系列含Ti₃SiC₂不同的试样，并且探索了常温和120℃温压压制试样的性能，实验结果表明，常温下的生坯密度和烧结密度随着Ti₃SiC₂含量的增加而降低，且生坯密度比烧结后的密度要大，其硬度和电阻率随着Ti₃SiC₂含量的增加而增大，当Ti₃SiC₂含量为35wt%时，其硬度高达175HB，比纯铜的硬度高很多；温压下的生坯密度和烧结密度随着Ti₃SiC₂含量的增加而下降，生坯密度比烧结密度要小。当Ti₃SiC₂含量相同时，与常温下压制试样的性能相比，温压压制试样的性能普遍要高，因此温压制备试样有利于提高复合材料的综合性能。温压压制下的抗弯强度比较高，当Ti₃SiC₂含量为25wt%时，抗弯强度为最高值603.1MPa。与无压和复压复烧相比，高速冲压的性能得到了提高，但其相对密度还有待提高，因此采取了放电等离子烧结烧结制备Cu Ti₃SiC₂复合材料，实验结果表明，等离子烧结工艺够极大提高材料的密度，当Ti₃SiC₂含量低于25wt%时，其相对密度高达99%以上，而当Ti₃SiC₂含量为35wt%，其相对密度也高达96.6%。因此放电等离子烧结制备试样比其他工艺得到的密度、硬度、电阻率以及摩擦系数都有很大的改善。