钽酸锂晶体具有优良的电学及光学性能,良好的机电耦合、温度系数等综合性能而被用于制造高频声表面波器件,并应用在手机、对讲机、卫星通讯、航空航天等许多高端通讯领域。在全息存储和准相位匹配等方面得到了广泛的应用。然而钽酸锂晶体在高光强照射的情况下会产生光致散射,导致全息存储图像质量严重下降。本文采用掺杂MgO的方法提高晶体的抗光致散射能力,从中频加热炉中生长出无明显宏观缺陷、光学均匀性好的同成分Mg:LiTaO₃单晶。X-射线粉末衍射实验结果表明同成分Mg:LiTaO₃晶体掺Mg后晶格结构未有变化。对Mg:LiTaO₃晶体的晶胞参数进行计算后发现,晶格常数随着MgO含量的增加而增加。利用差热分析测试Mg:LiTaO₃晶体的居里温度,发现当MgO含量低于其阈值浓度时,晶体的居里温度随MgO含量的增加而上升。相反地,当MgO含量达到其阈值浓度后,其居里温度开始下降。本文也对Mg:LiTaO₃晶体的紫外吸收边和红外吸收峰的变化机理进行了讨论。分析显示Mg2+离子优先取代反位钽（ Ta L4+i）。当MgO含量达到其阈值浓度后,所有的反位钽被完全取代,Mg²⁺离子开始同时占据正常的锂和钽位,形成（ Mg 3T-a+3 Mg +Li）自补偿结构。利用二波耦合实验测试了同成分Mg:LiTaO₃晶体的光折变性能,如衍射效率、光折变响应时间及擦除时间。实验结果表明随着MgO含量的增加,晶体的衍射效率降低,光折变响应速度变快。利用透射光斑畸变法测试了Mg:LiTaO₃晶体的抗光致散射能力。当MgO含量低于其阈值浓度时,晶体的抗光致散射能力变化不大。相反地,当MgO含量达到其阈值浓度后,晶体的抗光致散射能力有所增加,比纯的LiTaO₃晶体有所提高。