在磁约束核聚变装置中,长脉冲、高参数的等离子体运行,势必会超过靶板承受极限。金属钨具有高熔点、高溅射阈值和低燃料滞留等优点,被选为最有可能成为未来面向等离子体第一壁材料。而杂质气体注入聚变等离子体中能够有效降低偏滤器（可控核聚变托卡马克装置中用于把杂质和氦灰偏滤到靶室的装置）靶板热流,通过杂质气体离化产生热辐射,使能量在较宽的范围内分散,达到有效的降温效果。但通入杂质气体的同时,不可避免的是杂质气体离化与面向等离子体第一壁材料发生相互作用。杂质等离子体对面向等离子体材料的刻蚀等损伤,严重影响面向等离子体第一壁材料的服役行为。基于此,本文开展三种不同条件的杂质等离子体辐照钨实验,旨在考察杂质等离子体辐照对氘在钨中的滞留行为影响。主要结果如下:1.利用直线等离子体模拟装置（LEPS）模拟边界等离子体环境,开展氮预辐照实验。在低能氮等离子体预先辐照实验中,实验结果表明:经氮等离子体预先辐照会一定程度地增加氘在钨中的滞留,其主要原因归结为氮等离子体预先辐照钨样品,会在其近表面区域生成一层致密的氮化钨相,生成的氮化钨相阻碍了氘原子沿表面方向扩散逃逸,进而使氘在钨中的滞留有一定增加。相比于纯氘等离子体辐照样品滞留总量提高30%左右。2.LEPS上开展氮氘混合等离子体辐照钨实验,分析混入氮等离子体对钨中氘滞留行为的影响。从实验结果中分析出,一定量的氮混入氘混合辐照钨样品会减少氘在钨中的滞留,主要因为氮的混入对氘等离子体有一定的稀释作用,入射的D原子与表面的N原子发生作用形成NH₂D、NHD₂和ND₃等化合物使得进入材料内部D原子通量下降,D在W中的滞留总量下降50%。3.LEPS上开展氩氘等离子体混合辐照钨实验,实验结果表明:一定量的氩等离子体混入会一定程度的增加氘在钨中的滞留,归因于氩对钨的刻蚀效应,为钨样品表面提供更多氘的捕获位使得氘在钨中的滞留总量提高40%左右。