射频(RF)无线通讯市场的不断发展对于高性能低功耗射频(RF)解决方案提出了越来越高的要求和挑战。MOSFET器件因为其优异的性能表现而愈发地受到片上系统高频电子线路设计应用的青睐。对于射频(RF)产品而言,投产时间和设计周期的长短在极大程度上取决于设计环境和仿真结果的准确与否。众所周知的,射频(RF)电路仿真的精度几乎完全取决于器件模型的准确程度。这就对射频(RF)器件建模提出了愈来愈严苛的要求。本文主要研究了90nm MOSFET器件的非线性模型。回顾了MOSFET模型的发展和非线性模型的建立流程;研究现有的一些场效应晶体管非线性电容模型和模型参数的提取,对这些模型的精度进行了验证和对比,在此基础上对非线性电容模型进行了改进。本文的主要工作内容包括:1)阐述了MOSFET非线性模型的建立过程,并对MOSFET器件进行了小信号等效电路元件参数提取,并提出了改进的开路结构去嵌模型,提高了去嵌精度;2)研究了常用的场效应晶体管非线性电容模型,对这些模型进行了参数提取,将模型用于描述90nm MOSFET非线性电容的提取结果,并进行了精度对比和分析;3)在分析了常用模型的基础上,综合考虑物理意义和模型精度两个方面,同时考虑了电荷守恒和对称性,提出了一个改进的MOSFET非线性电容模型,模型在工作偏置范围内仿真结果与实验提取结果吻合很好;4)在改进模型的基础上,进一步讨论了本征元件的提取结果与频率的关系,给出了元件的频率模型,将该模型应用于1~40GHz S参数仿真并与实验测量结果的对比,仿真精度得到了很大的提高。