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目前,ZnO基光电器件中一个难题是优质稳定的p型ZnO材料制备。由于锌填隙与氧空位,未掺杂的ZnO为n型半导体,自补偿效应对p型ZnO制备有负面作用。因此,ZnO基光电器件的结构一般是以n型ZnO与其他p型材料形成的异质结。本文以ITO(透明导电薄膜)为衬底制备良好的p型ZnO薄膜,形成异质结,表征制备薄膜,研究异质结紫外光探测特性。本文研究内容:(1)在查阅国内外相关文献后,对ZnO相关的知识进行了总结归纳,介绍ZnO结构及基本性质,阐述了异质结相关内容,另外,对目前ZnO基紫