ZnO基半导体材料具有缺陷密度低，抗辐射能力强，环境友好等诸多优点，且可通过Mg的掺入使其禁带宽度从3.3eV到7.8eV连续可调，被认为是制备日盲和可见盲紫外探测器的理想材料之一。截至目前，人们已通过不同方法制备了各种结构的MgZnO紫外探测器，而如何提高器件的性能一直都是各国科研人员所不断追求的。众所周知，金属电极是半导体紫外光电探测器件的一个重要组成部分，通过金属电极可以对器件施加偏压并收集电信号，但是，金属电极对紫外光有着强烈的吸收，会降低器件的外量子效率。因此，电极的材料，结构以及厚度的不同都会引起器件性能的巨大差异。一般来说，在材料和结构确定的情况下，电极的厚度会影响其透光性和导电性（薄的电极透光性好但导电性不好，而厚的电极则刚好相反），进而影响器件的性能。因此，通过优化金属电极的厚度可以有效改善紫外探测器件的性能。本论文在总结了MgZnO薄膜及其探测器件的研究现状的基础上，制备了不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器件，旨在探索出最佳电极厚度，主要研究工作如下：一、使用分子束外延生长（MBE）设备，通过Zn源和Mg源温度的调控，制备了不同Mg组分的MgZnO合金薄膜，并研究了其结构和光学特性，为实现MgZnO紫外探测器件提供材料基础。二、使用离子溅射设备，在所制备的MgZnO薄膜上制备了Au电极，并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器。通过调整溅射时间，制备了具有不同Au电极厚度的样品。测试了样品的光谱响应曲线，暗电流等数据。当Au电极厚度从0~32nm变化时，器件光响应度随金属厚度增加，呈现先增高后降低的变化规律，当厚度为28nm时，光响应度达到最高值。