铝电解电容器的高性能、小型化,即高比电容化是当前的发展趋势。通过稀土微合金化提高电解电容器铝箔的比电容,可以充分发挥稀土的资源优势,提高相关产品的竞争力。电容器比电容大小与铝箔的电解腐蚀扩面率密切相关,因此,研究稀土Ce对电解电容器铝箔的电解腐蚀的影响很有必要。本研究以制备过程中添加不同Ce含量的稀土铝箔和高纯铝箔为主要研究对象,通过先对铝箔半成品进行冷轧和再结晶退火以制成0.11mm厚的铝箔,再对一定大小的铝箔样品依次经过抛光前处理、电解抛光、直流电解腐蚀、腐蚀后处理及腐蚀比电容测试。实验中,运用Axiovert25型金相显微镜和QUANTA400环境扫描电子显微镜对腐蚀后铝箔进行了微观观察分析;并运用英国Solartron公司的SI1287加SI1260EIS交流阻抗测试仪对腐蚀箔的比电容进行了测试分析。之后,对大量所得实验照片和数据进行对比分析,从而对Ce含量对铝箔直流电解腐蚀的影响规律进行了研究。研究结果表明,外加电压或电流、腐蚀液成分和温度以及腐蚀时间是影响铝箔直流电解腐蚀的主要外界因素。然而,在相同外界条件下,一定量范围内,随着Ce含量的增加,腐蚀铝箔的腐蚀坑孔径减小、密度增大,而深度加深。此外,研究得,添加适量Ce的稀土铝箔的腐蚀比电容值比高纯铝箔的也相应偏高。而且,不同Ce含量的稀土铝箔能获取最大腐蚀比电容的腐蚀工艺也有所不同,在本实验中,以加入Ce含量为0.0074%时的稀土铝箔在一定工艺下所获取的最大腐蚀比电容值最大,其值为29.72μF/cm2。