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本论文主要依据改良西门子法制备多晶硅的工艺流程，分别分析和探讨了多晶硅制造的原料三氯氢硅（TCS）、氢气（H2）以及多晶硅气相沉积（CVD）过程对多晶硅内在质量的影响。 在多晶制备过程中，TCS经过多组精馏塔串联提纯，对精馏塔运行正常和失控状态进行关注，并对同批次多晶质量进行跟踪，发现精馏塔运行失控后，对TCS中的B、P杂质浓度影响较大，并且会影响多晶电阻率，而对金属元素含量影响较小，对多晶的少子寿命影响很小。精馏TCS中B含量应控制在0.2ppb以内，P含量应控制在0.5ppb以内，金属总含量应控制在5ppb以内。 通过对多晶硅系统中高纯氢气的补充量对比多晶内在质量，发现氢气中存在的杂质富集，要提高氢气回收净化的纯度，并且要保证多晶硅系统高纯原氢的补充量不低于循环量的2.3％。 在多晶气相沉积过程中，对指定还原炉进行持续的跟踪，并对还原反应完成后对数据进行统计，发现反应过程的不稳定性以及对多晶内在质量的影响，提出以硅棒中上部的控制温度为1100℃，并要提高温度测量的精度，对提高多晶质量有益。