论文部分内容阅读
垂直腔面发射激光器(VCSEL)因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而极有可能成为今后中短程光网络中最有竞争优势的光源。850nm VCSEL在短距离的多模光纤网络中的应用，己经成为近年来激光器研究领域中一个十分活跃的课题。
本文研究TvCSEL的布拉格反射器(DBR)、量子阱结构对激光器光电性能的影响，通过对850nm VCSEL DBR的掺杂和对数优化、以及GaAs/AlGaAs量子阱的增益和发射波长的匹配优化，研制出了高性能的面分布孔结构850nm氧化限制型VCSE。激光器单管最低阈值电流为1.8mA，当驱动电流Y020mA，驱动电压为2.68V时，输出功率为7.96mw，功率转换效率大约为14.85﹪，斜效率大约为0.4413mW/mA。对于3×3阵列VCSEL在驱动电流为180mA，驱动电压为2.7时，输出功率为62.45mW，功率转换效率大约为12.85﹪。