反应磁控溅射制备组分可控的B-C-N薄膜

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采用射频磁控溅射方法,以硼和石墨为溅射靶材,通过调控工作气压、基片温度、溅射功率、CH4/N2/Ar气体流量比一系列实验参数,在Si(100)基片上制备不同组分的非晶B-C-N薄膜。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR), X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和纳米压痕测试仪测试方法,分别对B-C-N薄膜的结构,化学组分和硬度进行表征。主要工作如下:(1)红外光谱和X射线衍射图谱表明,我们制备的B-C-N薄膜是B、C、N原子级结合的化合物。在较低范围内同时增加石墨和硼靶溅射功率,
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