随着大数据时代的来临,人们每天都会面临着大量的信息,同时希望对信息进行快速的筛选、加工及存储,因此对现代存储器的性能提出越来越高的要求,主要包括存储容量大、稳定性好、体积小、质量轻、成本低和方便携带等。科研人员通过对存储机理的深入研究,在传统存储器的基础上不断地优化器件性能,并探索新的存储材料和新型器件结构,希望能够满足人们对高性能存储器不断增长的要求。传统的硅基存储器在克服摩尔定律时面临着严重的小体积化障碍,随着有机电子学的兴起,基于有机半导体材料的存储器在海量存储和柔性化器件方面展现出良好的应用前景。基于不同的存储机制,研究人员开发了多种类型的有机信息存储材料,例如有机小分子、聚合物、生物蛋白、天然的纤维素、有机-无机复合材料等。然而目前大多数有机材料只能实现二阶存储,难以满足高密度存储需求,三阶甚至更高阶的信息存储材料和器件相对较少,因此为实现高密度信息存储,开发三阶或高阶有机存储材料非常重要。基于以上研究背景,本论文的主要研究内容如下:1.设计合成一系列含铁、钴或镍的卟啉基单金属聚合物(P-Fe、P-Ni、P-Co以及P-Fe1)和卟啉基异核双金属聚合物(P-FeNi、P-FeCo),分别利用核磁共振(NMR)、红外分光光度计(FT-IR)、凝胶渗透色谱仪(GPC)、热重分析仪(TGA)等对材料的结构、分子量和热稳定性进行表征。2.设计合成一系列卟啉基铂和钯单金属聚合物(P-Pd,P-Pt)和卟啉基异核双金属聚合物(P-FePd,P-FePt),分别通过核磁共振(NMR)、红外分光光度计(FT-IR)、凝胶渗透色谱仪(GPC)、热重分析仪(TGA)等对材料的结构、分子量和热稳定性进行测试表征。3.将上述合成的聚合物材料作为活性层制作三明治类型电存储器件,对器件的I-V特性曲线、信息保留时间、循环读写次数等电存储行为和性能进行测试,初步实验结果表明,ITO/P-Fe1/Al器件具有二阶闪存(flash memory)特性;ITO/P-FeCo/Al器件则表现出三阶存储特性。