近年来，高质量的大容量半导体和量子阱结构的内量子效率已经超过了90％，在一些情况下甚至达到了99％。由于半导体的折射率很高，如果入射角足够大，光入射到半导体-空气的界面被全反射。菲涅尔定律给出了全反射的临界角。发生全反射后，光被限制在半导体内。被限制在半导体内的光最终被衬底、有源区、窗口层或是金属接触层吸收。为了提高光从出光面的出射，本文提出了利用增透膜技术来提高发光二极管的光提取效率。　　 本课题利用光传输矩阵原理，模拟了发光二极管采用单层增透膜和双层增透膜后透过率的变化情况。从理论上模拟了利用增透膜可以实现提高LED的光提取效率，并在实验中证明了可行性。主要研究的内容包括：　　 1、研究了氮化物薄膜的特性。包括在不同腔室压力下的SiO2薄膜的分析；在不同PECVD沉积温度下的SiON薄膜折射率的变化研究。研究了ITO薄膜的透过率特性，在有无退火的条件下透过率的变化，以及ITO薄膜上面淀积氮化物后透过率的变化情况。　　 2、依据光传输矩阵原理，模拟了不同参数变化对透过率的影响，其中包括透过率随折射率的变化、透过率随单一消光系数和随波长变化的消光系数的变化；提出并模拟了光线入射到不同介质时透过率的变化，此时对透射谱的影响较大。　　 3、介绍了增透膜的原理，模拟计算了单层增透膜、双层增透膜的透过谱。在此基础上，提出了在器件表面生长单层增透膜和生长带有ITO的双层增透膜方法来提高光提取效率。分别对采用的设计思想进行了阐述分析，并对其实现方法进行了大量实验研究。并通过实验后光功率的比较，证明了利用增透膜提高LED光提取效率的可行性。