本文采用一维有效势模型,利用有限差分法研究了在磁场作用下抛物势量子阱线中负施主杂质离子体系(D-离子)基态的相关性质。我们计算了抛物势量子阱线中D-离子体系基态束缚能、体系两电子间的平均距离和电子与施主杂质离子间的平均距离随磁场强度和抛物势强度的变化。通过计算,我们发现在抛物势和磁场的共同作用下,抛物势量子阱线中D-离子基态束缚能随抛物势强度的增大而增大,随磁场强度的增大而增大,且对磁场变化呈现出复杂的依赖关系。在强抛物势束缚下,D-离子体系基态束缚能对磁场变化不敏感,这时空间束缚对体系基态束缚能起主导作用;随抛物势强度的减弱,磁场的作用对体系基态束缚能的影响逐渐增强;在弱抛物势束缚下,磁场对体系基态束缚能的影响显著增强,体系基态束缚能随磁场强度的增大而增大;当抛物势强度进一步减弱趋于零时,体系基态束缚能逐渐趋于半导体体材料中的计算结果。此外,我们还发现体系粒子间的平均距离(两电子之间的平均距离和电子与施主杂质离子间的平均距离)均随外加束缚(抛物势束缚和磁场束缚)的增强而减小,这说明随着外加束缚的增强,体系的三个粒子被紧紧束缚在一起。这一方面增强了电子-电子间的库仑排斥作用,另一方面也增强电子-施主杂质离子间的库仑吸引作用,也正是这一对相互竞争的库仑作用导致了体系基态束缚能随外加束缚的变化。根据我们的计算结果,随外加束缚的增强,抛物势量子阱线中D-离子体系的基态束缚能是增加的,这说明:随外加束缚的增强,在这对相互竞争的库仑相互作用中电子-施主杂质离子间的库仑吸引作用起了主导作用,从而导致体系基态束缚能随外加束缚的增强而增加。另外,我们采用Thomas-Fermi屏蔽势模型,分析了材料中载流子产生的屏蔽效应对抛物势量子阱线中D-离子体系基态束缚能的影响。研究发现:随屏蔽系数的增大抛物势量子阱线中D-离子体系逐渐由束缚态变为非束缚态,且临界屏蔽系数值随外加束缚的增强而增大;屏蔽效应的存在增大了体系粒子间的平均距离,削弱了粒子间的库仑势,从而减小了体系的基态束缚能。