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Si在微电子技术中占据着主导地位,但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移速度较低,而且具有间接跃迁能带结构,限制了它在若干方面的应用。与标准的CMOS技术相比,SiGe BiCMOS技术在低噪声、高功率放大电路中可以提供优良的性能,并且还较容易集成。SiGe BiCMOS兼有Bipolar与CMOS工艺的特点,能同时满足射频系统性能以及低功耗的要求。SiGe HBT器件是SiGe BiCMOS技术中的关键部分。随着发射极条宽的不断减小,器件的最高截止频率不断提高,为综合优化器件其他方面的性能提供了自由度。可以通过采用更小特征尺寸,在保持最高截止频率不变的情况下,降低器件的功耗。同样可以优化的参数还有fmax、小噪声性能和击穿特性。本文首先分析SiGe HBT工艺特性对器件参数的影响,随后介绍了共射极、共基极结构晶体管的噪声理论。基于IBM SiGe BiCMOS 7WL工艺,借助Cadence软件平台研究并设计了射频前端低噪声放大器电路,完成了版图设计后仿真及测试相关工作,取得成果如下：1.研究分析了SiGe BiCMOS的工艺特性及其市场应用前景,针对无线通信系统中的2.4GHz频段,对其射频前端接收电路进行设计。2.提出了一种精简结构的2.4GHz低噪声放大器,采用发射极电感负反馈cascade结构,通过电容反馈提高了线性度指标,输入输出匹配通过无源LC谐振网络实现。电路工作电源电压为2.5V,仿真结果表明,噪声系数小于2.4dB,增益达到了16dB,输入匹配小于-19dB,输出匹配小于-12dB,1dB压缩点优于-16dBm。设计满足了系统指标要求,适用于2.4GHz ISM频段无线接收机射频前端。3.采用0.18μmIBM SiGe BiCMOS 7WL工艺库进行设计并流片,基于Cascode Microtech S300探针测试平台进行了性能测试。测得中心频率处增益为12.58dB,输入匹配小于-15dB,输出匹配约为-10dB,噪声系数小于3dB,1dB压缩点优于-15dBm,与后仿真结果较为吻合。