论文部分内容阅读
近年来,纤锌矿结构的氮化镓(GaN)材料,由于可以制备高亮度蓝色与绿色发光二级管和紫外光电二级管、激光二极管、紫外光电探测器和耐高温、高强度和高能量的器件,引起了人们的广泛兴趣。由于生长大尺寸的单晶氮化镓是比较困难的,人们在不同的衬底上用异质外延的方法来制备高质量的氮化镓薄膜。在硅衬底上生长氮化镓薄膜有许多的优势,被认为是一种较好的衬底。但硅与GaN的失配率较高,难以获得高质量的GaN薄膜。人们想到用缓冲层来降低薄膜和衬底之间的晶格失配和热失配。常用的缓冲层有AlN,SiC和ZnO等。我们实验中在S