高性能的微弱信号读出电路因红外焦平面阵列的广泛应用愈凸显出其重要性，其由于常常工作于总剂量辐射环境下受到总剂量辐射的影响而不能正常工作，因此需要对其进行抗总剂量辐射加固。为了大幅度节约成本，常常需要在标准商业生产线上进行抗辐射加固，而从版图设计角度采取抗辐射加固措施可以实现这一点。本文基于此研究了如何采取版图设计加固措施来实现微弱电流信号读出电路的抗总剂量辐射的加固。本文首先总结分析了MOS管的总剂量辐射效应以及MOS管的主要性能参数受到总剂量辐射后的变化，指出开关管在受到总剂量辐射后关态电流的增大使其成为了CTIA型读出电路中对总剂量辐射敏感的MOS管。其次，本文研究了几种已经得到实际应用的版图设计加固措施，讨论了它们的加固原理，并基于此提出了针对开关管的三种抗总剂量辐射加固结构：环栅-P栅切割结构、“+”栅结构和I栅结构。然后，根据总剂量辐射对MOS管的实际影响结果，本文提出了利用TCAD提供的Insulator Fixed Charges模型实现对MOS管总剂量辐射效应的仿真，并利用实际仿真验证了所选模型的适用性。最后，利用TCAD软件对所提出的三种加固结构的MOS管进行了辐射前后的仿真，由仿真结果可以看出三种版图加固结构MOS管的泄漏电流和阈值电压在辐射前后的变化均明显小于未加固结构MOS管对应参数的变化(环栅-P栅切割结构MOS管在辐射后阈值电压发生正向漂移更加有利于抑制泄漏电流)。这证明了本文提出的环栅-P栅切割结构、“+”栅结构和I栅结构这三种版图设计加固措施是具有抗总剂量辐射能力的。