随着信息技术的发展，互联网流量增长的速度令人惊叹，同时也对数据传输速率带来了更大的需求。因此，100 Gbps的以太网已经被提出作为下一代标准化，而作为传输光源的多波长分布反馈（Distributed Feedback，简称：DFB）半导体激光器阵列也变得越来越重要。　　为了克服“电子瓶颈”，全光通信和光互连已经成为了科研机构和工业界研究的热门领域。硅基光电子器件因其低廉的价格以及与成熟的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称：CMOS)工艺相兼容的优点，成为了光电子器件研究的热点。科研人员已经在绝缘衬底上的硅(Silicon-On-Insulatorr，简称：SOI)上实现了光开关、阵列波导光栅以及光波导调制器等一系列硅基光电子器件。然而由于硅材料本身间接带隙的性质导致其无法直接发光，因此人们通常采用硅材料和Ⅲ-Ⅴ族材料键合的方式来实现硅基光源。近年来科研学者已经将硅基布拉格波导光栅成功地运用于集成光学的有源器件中，如DFB激光器、半导体光放大器和调制器等。硅基多波长布拉格波导光栅阵列是解决多波长硅基光源的重要方法。本文主要研究了硅基多波长布拉格波导光栅阵列。　　（1）探索并开发了 DFB激光器的布拉格光栅制作工艺。利用电子束曝光（Electron Beam Lithography，简称：EBL）和感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma，简称：ICP）刻蚀工艺在Ⅲ-Ⅴ族外延片上制作了侧壁光滑的布拉格光栅结构。并在该光栅结构上实现了中心波长为1310 nm的DFB激光器。　　（2）提出并实现了硅基多波长布拉格波导光栅阵列。为了获得不同的谐振波长，我们采用了不同宽度的脊波导来调节有效折射率；并利用 EBL和 ICP刻蚀工艺制作了波导光栅阵列。实现了间隔为0.8 nm，谐振波长为1549.2~1551.6 nm的多波长布拉格波导光栅阵列。