早期的光电二极管由一个反向偏置的pn结组成，其吸收区较窄，光子无法在吸收区被充分吸收；少子在p区或n区扩散时，容易被复合，这会降低光电二极管的响应度。为了解决这一问题，PIN型结构的探测器应运而生了，PIN结构的探测器本质也是一个反向偏置的半导体二极管，与普通光电二极管不同之处是在重掺杂的p区和n区之间夹有一层不掺杂或者低掺杂的i层。当外加偏压时，整个i型层为耗尽层，在耗尽区电场的作用下，光生载流子很快漂移过耗尽区到达p区或n区，提高了器件的响应速度。InP基PIN型红外探测器因制作工艺简单、响应速度快，目前大部分近红外光电探测器的制作均采用这种结构。本论文通过对影响红外探测器的参数研究，分析计算出了最优本征层厚度，以作为设计红外探测器的理论依据，在实验方面验证了InP/InGaAs材料的P型和N型掺杂，外延生长并工艺制作出了InP基PIN型红外探测器，并进行了基本的测试，得出了相应的结论。主要工作可以概括为：1.简单介绍了红外探测器的基础理论，模拟影响红外探测器的相关因素，计算出最优的本征层InGaAs厚度。2.介绍MOCVD系统的基本原理以及材料生长实验的说明，包括MOCVD生长系统的构成，各种测试工具的基本原理及使用方法，生长温度的调试与校验，生长厚度及均匀性的调节。3.探索了InP和InGaAs的掺杂规律，解决了以往只能靠开管扩散或者闭管扩散来解决P型欧姆接触的问题。4.提出变掺杂方法解决了InP掺杂对本征层材料带来影响，并生长出高质量的InGaAs材料。5.验证了外延工艺的改进，能明显提升光电探测器的器件性能。