宽禁带半导体材料是目前半导体材料研究领域的热点之一。SnO₂是一种对可见光透明宽带隙氧化物半导体，禁带宽度Eg=3.6-4.0eV。SnO₂薄膜由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点，已被广泛的应用在太阳能电池、电热材料、透明电极材料以及气敏材料等方面。但是，目前研究的氧化锡都是电子导电（n型）的，还没有有关p型导电的氧化锡的报导。 本论文综合介绍了各种SnO₂薄膜的制备工艺，掺杂和未掺杂SnO₂薄膜的基本性质及在各个领域中的应用。利用Sol—Gel法成功制备两p型导电的掺铟SnO₂薄膜。并用X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见光光谱仪（UV-Vis absorption Spectrometer）、霍尔效应测试仪（Hall Effect System）以及光电子能谱（XPS）等测试手段对SnO₂：In薄膜的结构和性能进行了表征。XRD测试表明掺铟不会改变SnO₂薄膜的晶体结构，掺杂得到的SnO₂：In薄膜晶体结构仍然是金红石结构。同时，从紫外-可见光光谱仪的测试中，我们也证实了掺铟后的SnO₂薄膜禁带宽度没有发生明显变化。从霍尔效应测试结果，掺铟氧化锡薄膜的最高载流子浓度达到10¹⁸／cm³。(我们研究小组最新的研究结果已经达到10¹⁹／cm³以上)。另外，本文还研究了掺杂浓度、退火温度等因素对P型掺铟SnO₂薄膜性能的影响，并对其中的空穴产生机制进行了探讨。发现，存在一个最佳掺杂比例和最佳热处理温度。在以上基础上，我们还成功制备了Sn／n-In₂O₃／In／p-SnO₂异质结，并测试了室温下该异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线。 此外，我们研究了掺锌的P型SnO₂薄膜（SnO₂：Zn）和掺锌地P型In₂O₃薄膜（In₂O₃：Zn），测试结果表明，p型导电的SnO₂：Zn和In₂O₃：Zn薄膜的各项性能远没有SnO₂：In薄膜的好。