为了研究超深亚微米工艺下器件参数扰动对于电路的影响,本论文介绍了工艺参数扰动的来源、类型;扰动的随机分布种类及采样方法;仿真工具中传统的对于扰动的分析方法——蒙特卡罗、以及比较新的分析方法Mismatch的特点和基本用法。针对现在集成电路的器件都非常多的特点,为了帮助用户在设计时迅速的找到对电路影响最大的模型参数或者器件,论文的作者开发了一个基于VB的interface软件,读入电路的网表,就可以对所有用户感兴趣的模型参数进行批量的分析,找到影响电路的关键参数和关键器件,再做针对性的分析、改进。在本文的最好一章,以集成电路中常用的运放为例,研究参数扰动对于增益、频带、共模抑制比的影响,分析并仿真验证了关键的参数及器件,并给出改进的思路。通过本文,作者介绍了研究超深亚微米工艺下电路改进良率,增加稳定的方法和思路。