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星型分子以其良好的化学可修饰、光电性质等受到人们的关注，广泛的应用到有机半导体材料中。近几十年来，通过引入功能性官能团调节星型分子结构以及电荷转移等性质来提高材料的传输性能与发光性能是改良、探索新型材料的重要手段之一。然而，对于星型材料的结构、光谱性质及发光机理的关系还不算明确，相关的理论报道研究还比较少。本论文设计并采用现代的密度泛函理论(DFT)分别计算了系列不同中心核及端基的星型分子，着重探讨研究了分子的结构、电子吸收光谱以及电荷转移性质关系等，为设计合成新的星型材料提供了重要的理论依据。主要的研究工作如下：(1)设计的给电子四硫富瓦烯(TTF)为端基、苯乙烯为桥的五种不同中心核(富电子核:氮、三聚咔唑、三聚吲哚；缺电子核:三嗪、三聚喹喔啉)构成的星型三支D-π-A型化合物，采用密度泛函理论(DFT)方法对五个化合物的几何结构、电子吸收光谱及电荷转移性质进行了研究。结果表明，通过改变中心核的类型，可有效调节LUMO能级和改变能隙的大小。电荷差分密度及跃迁密度矩阵分析指出，高能吸收带为两支内的TTF端基与核到共轭桥链的电荷转移跃迁及少量的π→π*跃迁贡献，对低能吸收带，与富电子核化合物明显的TTF贡献的支内定域电荷转移跃迁不同，缺电子核化合物的低能吸收峰主要是TTF端基到桥链和中心核的电荷转移跃迁贡献。重组能计算表明，除NST(中心核为氮)外，其余四个化合物的空穴/电子重组能相当，三聚咔唑核的化合物重组能相对较小。(2)运用密度泛函理论方法对三嗪为核、三苯胺为端基和苯乙烯基(苯乙烯基噻吩)为共轭链的T1(T3)以及三嗪为核、噻吩乙烯为桥的六种不同富电子端基(三苯胺、咔唑、双噻吩、四硫富瓦烯、噻吩嗪和香豆素)构成的星型三支D-π-A型化合物的几何结构、电子吸收光谱及电荷转移性质进行了研究。结果表明，TrTE3TTF的LUMO能级最低，HOMO能级最高，能隙最小，具有良好的空穴和电子注入/传输性质。八个化合物的电子光谱在可见光范围内均出现一个主要吸收带，为S0→S1的简并跃迁。除化合物TrTE3TTF为支内电荷转移跃迁外，其余七个化合物的跃迁属性均指认为两支和三支支内的π→π*跃迁贡献。激发跃迁密度矩阵表明，TTF端基使星型分子存在较强的电荷转移跃迁，导致低能激发强度降低。发射跃迁密度矩阵表明，化合物TrTE3TTF和TrTE3DBT冷激子主要集中在一支上，而其余六个化合物主要集中在两支上。