复合半导体材料改性光催化性能

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本论文主要采用传统半导体材料,诸如二氧化钛(TiO_2)、三氧化钨(WO_3)等,具有独特的物理和化学性质,成为了光催化领域广泛研究的材料之一。然而阻碍该类单一半导体材料光催化性能提高的两个重要因素,分别是光生电子-空穴对的分离效率和对太阳光的利用率均较低。在本论文中,我们将采用半导体复合,共催化材料以及贵金属修饰等手段对这类传统半导体材料进行改性,以期获得增强的光催化性能。论文的主要研究工作可分为以下三个部分:一、采用电子束热蒸发方法制备TiO_2-WO_3复合薄膜。研究结果表明:在TiO_2和W
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