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铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4)半导体材料因其原材料储量丰富,成本低,无污染,吸收系数高,带隙可调,转换效率高等优点,成为最有前景的薄膜太阳电池之一。本论文采用热蒸发法,在柔性衬底上使用不同工艺方法沉积CZTSSe薄膜,并对薄膜的形貌、晶体结构进行了对比分析,确定了制备CZTSSe薄膜合适的工艺方法。探索了CZTSSe薄膜最佳的生长条件,在此基础上制备出适合CZTSSe薄膜太阳电池应用的CZTSSe薄膜。论文主要得到以下结果:(1)探索了柔性衬底的CZTSSe薄膜的沉积方法。采用低温一步法、两步沉